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公开(公告)号：CN110993468B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201911397601.X
申请日：2019-12-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十二研究所
摘要： 本发明公开了一种双模折叠波导振荡器及其设计方法，该方法包括：S1、根据振荡器目标工作电压和目标振荡频率，初步设定振荡器的折叠波导慢波结构的结构尺寸；S2、利用本征模拟，计算振荡器的振荡频率与几何周期相移的关系曲线；S3、优化所述折叠波导慢波结构的结构尺寸，使得所述振荡频率与几何周期相移的关系曲线中几何周期相移为4π时对应的止带上截止频率fu大于目标振荡频率；S4、基于优化的结构尺寸进行注波互作用模拟，将模拟得到的同步电压与所述目标工作电压进行比较，如果不符，则重复S2‑S4；S5、优化所述折叠波导慢波结构的互作用长度，直至达到振荡器目标振荡功率。
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公开(公告)号：CN113658838A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110934262.5
申请日：2021-08-13
申请人： 中国科学院空天信息创新研究院
摘要： 本公开提供一种高频互作用电路，涉及高频互作用电路技术领域。高频互作用电路包括：电子注通道，用于为电子注流动提供通道；群聚段，包括多个群聚段谐振腔，各所述群聚段谐振腔设置于所述电子注通道上与所述电子注通道联通，且各所述群聚段谐振腔按其各轴线在同一直线上进行排列，所述群聚段用于对所述电子注进行调制和群聚，形成增强电子注；输出段，包括输出段谐振腔，所述输出段谐振腔设置于所述群聚段的所述电子注输出侧的所述电子注通道上与所述电子注通道联通，所述输出段用于输出所述增强电子注包含的高频电磁信号能量。
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公开(公告)号：CN1387226A
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN02120132.3
申请日：2002-05-20
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01J25/587 , H01J23/15 , H05B6/72
摘要： 一种磁控管,在磁控管主体的阴极端子上连接构成滤波器的电感器,连接所述阴极端子的电感器由串联连接的空芯疏绕式电感器和具有磁芯的磁芯式电感器构成,并且所述空芯疏绕式电感器连接在所述阴极端子侧。所述空芯疏绕式电感器由疏绕节距小部和疏绕节距大部构成,并且该疏绕节距大部连接在所述阴极端子侧。这种磁控管,是不会使滤波器罩大型化,可抑制组成磁控管的输入侧噪音抑制滤波电路的电感器的发热,并可抑制磁控管的阴极逆加热的高可靠性的磁控管。
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公开(公告)号：CN113936982B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110968704.8
申请日：2021-08-23
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： H01J23/16
摘要： 本发明涉及一种束流调控的高效率低磁场相对论返波管，包括环形阴极、返波管管体、输出波导及磁场线圈；返波管管体的内壁从前至后依次设有预调制段、束流调控结构、慢波结构和提取腔；束流调控结构为沿返波管管体内壁周向设置的环形突起，位于预调制段后侧，慢波结构第一个腔体的前侧，用于吸收原本将处于加速相位的电子，调控返波管管体内的轴向电流。本发明增加的束流调控结构在固定间隔时间通过吸收部分电子调控轴向电流，使得较大比例预计在慢波结构中处于加速相位的电子被束流调控结构所吸收，大幅促进束流在射频场中的调制和群聚，使得能量提取效率显著提高。
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公开(公告)号：CN109904048B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910090745.4
申请日：2019-01-29
申请人： 四川大学
摘要： 本发明提供一种太赫兹辐射的激发方法，包括以下步骤：步骤1：将电子束与高密度等离子体注入介质慢波结构中；步骤2：电子束驱动等离子体尾场对电子束进行横向和纵向的调制，形成周期分布的短脉冲电子束；步骤3：使短脉冲周期电子束与系统内的高次本征模同步，然后两者耦合，从而激发太赫兹辐射。本发明方法具有高功率、高效率、频率可调、无需外加强磁场、辐射相干性好、不限制器件尺寸。
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公开(公告)号：CN109950114A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910170830.1
申请日：2019-03-07
申请人： 江苏安德信超导加速器科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁控管激励腔，包含有矩形部和设置在所述矩形部上方的呈半圆柱形的上部，所述矩形部和上部的内部均为中空并连通形成腔体，且所述矩形部的顶部与所述上部的矩形面配合且连通，所述矩形部的底部呈开口状，所述腔体内设有数根干扰棒，所述矩形部与其中一个半圆形面连接的面板上设有用于安装磁控管的焊接环。通过将磁控管的激励腔的上部设计成半圆柱形，提高了微波的反射传输，减少边界的打火现象，通过在激励腔的矩形部设置焊接环，保证了激励腔和磁控管的精确焊接，达到保证产品质量、便于微波的反射及传输、实现微波的高效耦合传输和提高传输效率的目的。
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公开(公告)号：CN109935507A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910175740.1
申请日：2019-03-08
申请人： 长沙魔豆智能科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁控管同轴高斯模式微波提取器，包括中空的圆柱形的同轴波导体；同轴波导体包括内导体(1)和外导体(4)；内导体为圆柱形，位于同轴波导体底部的轴心位置；外导体与同轴波导体的外壳相连；且外导体的具有一个锥形的且锥口朝上凹陷部；其特征在于，外导体上设有2*n个周向等分布置的作用腔；n≥3，n为自然数；其中一对相对的作用腔的最大径向尺寸大于其余的n-1对作用腔的最大径向尺寸，所述的一对相对的作用腔记为第一作用腔(3)，所述的其余的n-1对作用腔记为第二作用腔(2)。该磁控管同轴高斯模式微波提取器结构紧凑，效率高。
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公开(公告)号：CN108352281A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065032.7
申请日：2016-10-03
申请人： 泰勒斯公司
发明人： C·贝尔
摘要： 本发明涉及一种具有多束感应输出管的放大器，其包括输出腔(34)和多个电子枪(11,21)，所述多个电子枪(11,21)分别旨在发射通过输出腔(34)的电子束(12,22)，每一个电子枪(11,21)包括旨在发射电子束(12,22)的阴极(13,23)和能够调节电子束(12,22)的密度的栅极(14,24)。所述放大器(10)进一步包括与每一个电子枪(11,21)相关联的直流电源(41,51)，所述电源(41,51)中的每一个连接至相应的电子枪(11,21)的栅极(14,24)，从而对栅极(14,24)进行偏置。对电源(41,51)中的至少一个的电压进行调整，从而平衡各个电子束(12,22)的密度。
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公开(公告)号：CN103956313B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410191182.5
申请日：2014-05-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01J23/16
摘要： 本发明公开了一种小型化功率增益均衡器，微带层、介质层和金属层依次层叠；微带层位于最上层，金属层位于最下层。传输线主线为条状，中间凸起；第一电阻和第三电阻连接在传输线主线的凸起左右两条边上，第二电阻连接在传输线主线的凸起处；第一复合左右手谐振器表层微带与第一电阻相连，第二复合左右手谐振器表层微带与第二电阻相连，第三复合左右手谐振器表层微带与第三电阻相连。介质基板为板状，第一金属化通孔阵列和第三金属化通孔阵列设置在介质基板向外的一端，分别位于左右两侧；第二金属化通孔阵列设置在介质基板向内的一端，位于中部。本发明的小型化功率增益均衡器具有小型化、均衡量大、插损小的优点。
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公开(公告)号：CN101567291B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910126735.8
申请日：2009-01-24
申请人： E2V技术(英国)有限公司
发明人： E·S·索别拉茨基
CPC分类号： H01J23/213 , H01J23/40 , H01J25/587
摘要： 本发明涉及磁控管，其具有通过支柱52与同轴输出耦合器51相连接的第一套叶片30等和交替在第一套叶片中、且不与输出耦合器相连的第二套叶片19等(在一实施例中)。例如，每套叶片由带状环支持，该带状环可沿着阳极的长度分布，该叶片彼此处在相同的电势上，而且每套叶片的极性与其他套叶片的相反。所述磁控管的一个问题是在阴极和输出耦合器51之间的耦合电容，其可导致同轴TEM模式沿着阴极传播。依照本发明，通过处在该套叶片19等的末端上的同轴扩展部19a等引入的附加耦合电容，该套叶片19等不与输出耦合器相连接，并且通过选择尺寸，阴极可充分地与输出耦合器解耦合，因为两套叶片的极性相反。
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