公开(公告)号：CN118922943A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029749.6

申请日：2023-03-16

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 宫田晃次 ,  小笠原隆行 ,  横地界斗 ,  高桥圣基 ,  高濑博章

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 一种光检测装置包括多个像素，该多个像素包括感测第一波长范围的光的第一像素组、感测与第一波长范围不同的第二波长范围的光的第二像素组以及包括位于第一像素组上方以对光进行重新导向的第一纳米结构的第一层。第二像素组被布置在第一像素组的像素之间。

公开(公告)号：CN118922581A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380029265.1

申请日：2023-03-22

申请人： 出光兴产株式会社

发明人： 佐佐木大地 ,  海上晓 ,  大山正嗣 ,  川岛绘美

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/146 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

摘要： 一种溅射靶，是具备包含氧化铟作为主成分的氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体的含氢浓度为5×1016atoms/cm3以上，I n(铟)元素与O(氧)元素的原子浓度比(O元素/I n元素)为1.3以上且小于2.5，通过阿基米德法测量的所述氧化物烧结体的密度为6.0g/cm3以上。

公开(公告)号：CN114256280B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202111553063.6

申请日：2021-12-17

申请人： 武汉新芯集成电路股份有限公司

发明人： 吴恙 ,  杨帆 ,  占琼 ,  胡胜

IPC分类号： H01L27/146

公开(公告)号：CN118901146A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380028949.X

申请日：2023-01-12

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 岛谷政彰 ,  福岛昌一郎 ,  小川新平

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L27/146

摘要： 电磁波检测器(100)具备第一铁电体层(5)、二维材料层(1)、第一电极对(2a)以及第二电极对(2b)。第一电极对(2a)包括第一电极(21)和第二电极(22)。第二电极对(2b)包括第三电极(25)和第四电极(26)。第一电极对(2a)及第二电极对(2b)与二维材料层(1)电连接。第三电极(25)与第四电极(26)在与第一铁电体层(5)的自发极化的极化方向垂直的第一方向上彼此相向地配置。第一电极(21)与第二电极(22)在与第一方向不同的第二方向上彼此相向地配置。

公开(公告)号：CN118901139A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380028758.3

申请日：2023-03-15

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 弗朗西斯科·哈维尔·里沃罗·坎波斯 ,  乔治·阿尔贝托·托邦·瓦斯克斯 ,  弗朗西斯卡·维皮亚纳 ,  曼努埃尔·阿马亚·贝尼特斯 ,  上野贵久

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 一种背照式像素，包括光电二极管(301)和具有嵌入式纳米结构(402，403)的红外吸收器(301)，其中，具有嵌入式纳米结构(401，402)的红外吸收器(301)被配置为吸收通过光电二极管(301)的光(305)。

公开(公告)号：CN118888565A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411382110.9

申请日：2024-09-30

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 陈维邦

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/762

摘要： 本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，涉及集成电路技术领域，包括：衬底、隔离叠层，以及位于衬底的第一表面上且沿平行方向交替排布，且朝向衬底延伸的光电二极管、目标隔离结构；衬底内包括一对一设置的目标隔离结构的正下方的多个沟槽隔离结构；隔离叠层位于一对一设置的目标隔离结构的正上方；目标隔离结构包括高于光电二极管的顶面且嵌入隔离叠层内部的凸出部；凸出部与隔离叠层的接触面呈波浪状，提升了隔离结构对于电子、光线的拦截能力，增加了进入感光区域的光线量的同时减少了像素间信号的串扰，从而提高了BSI图像的感光性能和图像质量。

公开(公告)号：CN118888563A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410935984.6

申请日：2020-09-29

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 林育民 ,  林昂樱 ,  吴昇财 ,  陈昭蓉 ,  倪梓瑄 ,  黄馨仪 ,  罗元听

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开一种多芯片封装件及其制造方法。多芯片封装件包括重配置线路结构；第一半导体芯片，配置在所述重配置线路结构上且具有第一主动面，所述第一主动面上配置有第一导电柱；第二半导体芯片，配置在所述第一半导体芯片上方且具有第二主动面，所述第二主动面上配置有第一导体；以及第一包封体，配置于所述重配置线路结构上且至少包封所述第一半导体芯片，其中所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN118888560A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410903259.0

申请日：2024-07-05

申请人： 广州诺尔光电科技有限公司

发明人： 亨利·H·阿达姆松 ,  苗渊浩

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本申请提供一种双波段图像传感器晶圆及其制造方法、双波段图像传感器及其制造方法，本申请采用第一施主衬底和第一受主衬底键合后去除部分厚度的第一施主衬底获得紫外传感层，通过在第二施主衬底上形成短波红外传感层，并且键合第二施主衬底以及第一受主衬底、第一键合层和紫外传感层构成的第二受主衬底从而形成双波段图像传感器晶圆，既能够降低双波段图像传感器晶圆的制造成本，又能够兼容CMOS工艺，并且短波红外传感层和紫外传感层之间具有第三键合层，从而避免了短波红外传感层和紫外传感层晶格失配、热失配和极性失配的问题，提高制造得到的双波段图像传感器晶圆的性能。

公开(公告)号：CN118888559A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410903112.1

申请日：2024-07-05

申请人： 广州诺尔光电科技有限公司

发明人： 亨利·H·阿达姆松 ,  苗渊浩

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/00

摘要： 本申请提供一种短波红外图像传感器晶圆及其制造方法、一种短波红外图像传感器及其制造方法，方法包括：提供施主衬底，施主衬底包括后续能够进行短波红外吸收的二极管结构。提供目标衬底，目标衬底包括依次层叠设置的第二衬底、埋氧层和第一硅层，在目标衬底上形成第一绝缘层，形成受主衬底，键合受主衬底和施主衬底，去除第一衬底和缓冲层，得到短波红外图像传感器晶圆。由此可见，通过利用包括第二衬底、埋氧层和第一硅层的目标衬底，以及在目标衬底上形成第一绝缘层能够形成双层谐振腔结构，双层谐振腔结构能够形成高性能短波红外图像传感器晶圆，后续就可以利用高性能短波红外图像传感器晶圆制造得到高性能短波红外图像传感器。

公开(公告)号：CN118872062A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380025685.2

申请日：2023-02-22

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 平濑顺司 ,  内海秀之 ,  留河优子 ,  土居隆典 ,  矶野俊介

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0248

摘要： 光电转换元件(21)包括支承面(25)及光电转换膜(518)。光电转换膜(518)被配置于支承面(25)。在与垂直于支承面(25)的垂直方向Dv平行的第1截面(201)中，光电转换膜(518)具有第1坡面(518t1)。在第1截面(201)中，将第1坡面(518t1)相对于与支承面(25)平行的第1平行方向Dh的倾斜角度，定义为第1坡度角度θt1。第1坡度角度θt1大于0°且为5°以下。