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公开(公告)号：CN118575096A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089334.3
申请日：2022-12-20
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
IPC分类号： G01S7/481 , G01S7/4912 , G01S17/36 , G01S7/4914 , H01L31/00 , H01L27/146
摘要： 提出一种探测器(17)，其至少具有以下特征：‑衬底(3)，和‑至少一个第一探测器元件(1)和至少一个第二探测器元件(2)，所述第一探测器元件和第二探测器元件横向上彼此并排地设置在衬底(3)的主面(4)上，其中‑每个探测器元件(1，2)包括有源半导体层(5)，所述有源半导体层配置为将具有波长λ的电磁辐射转换为电信号，‑每个所述探测器元件(1，2)具有第一主面(6)和与第一主面(6)相对置的第二主面(7)，并且‑第一主面(6)和第二主面(7)分别配置为将波长λ的电磁辐射耦合输入和耦合输出。此外，提出一种激光雷达模块和一种用于运行激光雷达模块的方法。
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公开(公告)号：CN118511459A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202280087955.8
申请日：2022-12-12
申请人： 昕诺飞控股有限公司
发明人： A·F·A·布鲁施克 , C·约丹 , H·A·维勒布兰德
摘要： 提供用于硅光电倍增器(SiPM；200)的读出电路(100)。光电倍增器(SiPM；200)具有第一主输出端(Sout)和电容性耦合的第二输出端(Fout)。读出电路(100)包括组合器(110)，组合器具有用于接收源自硅光电倍增器(SiPM；200)的第一主输出端(Sout)和第二输出端(Fout)的信号的输入端(IN1，IN2)，并被配置为基于所接收的信号生成组合信号。第一信号路径被限定在第一主输出端(Sout)和组合器(110)的输入端中的第一输入端(IN1)之间。第二信号路径被限定在第二输出端(Fout)和组合器(110)的输入端中的第二输入端(IN2)之间。读出电路(100)还包括电路装置(120)，电路装置被布置在第一信号路径和第二信号路径中的至少一者中，并被配置为在操作期间至少部分地提供硅光电倍增器(SiPM；200)的第一主输出端(Sout)和第二输出端(Fout)之间的隔离。
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公开(公告)号：CN114921853B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210546973.X
申请日：2022-05-18
摘要： 本发明公开了一种具有有序畴结构的钙钛矿单晶、制备方法及辐射探测器，属于钙钛矿辐射探测器技术领域。本发明中对限域逆温生长法的空间限制的刚性基底进行低表面能的凝胶化处理来获得与晶体软接触的基底，与无凝胶层的硬接触基底相比可以释放晶体与基底之间的应力，获得晶体内部的高度有序晶畴，从而实现高度均一性的钙钛矿单晶，相对传统方法制备的钙钛矿单晶，本发明中高度有序晶体具有更低的缺陷密度，提高的结晶质量和电荷传输性质，本方法也大幅提升了获得的晶体尺寸。基于此方法生长的晶体制备的射线探测器实现了具有领先水平的γ射线能谱分辨率。
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公开(公告)号：CN115752023A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211565824.4
申请日：2022-12-07
申请人： 珠海格力电器股份有限公司 , 国创能源互联网创新中心(广东)有限公司
摘要： 本发明提供一种功率模块组件及光伏空调。功率模块组件包括功率模块；散热盒，所述功率模块设置于所述散热盒的外壁上；喷射管，所述喷射管的入口与冷源连通，所述喷射管的出口位于所述散热盒内，且所述喷射管的出流方向朝向所述功率模块。本发明提供的功率模块组件及光伏空调，利用喷射管直接将冷媒喷射到功率模块所安装的侧壁上，冷媒仅需要通过散热盒的侧壁对功率模块进行散热，从而最大限度的保证了冷媒对功率模块的散热效率，此时冷媒在冲击的作用下更容易气化，使得冷媒在功率模块所安装的侧壁处能够吸收更多的热量，从而进一步提高功率模块的散热效率。
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公开(公告)号：CN114867759A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080090219.9
申请日：2020-12-17
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： C08F210/16 , C08J5/18 , H01L31/00 , C08F4/659
摘要： 本发明提供了一种组合物，该组合物包含乙烯/α‑烯烃互聚物，该互聚物包括以下性质：a)总不饱和度/1000C≥0.30；b)分子量分布(MWD)≤3.0；c)TGIC宽度参数B1/4≤8.0。一种制备乙烯/α‑烯烃互聚物的溶液聚合方法；所述方法包括在一个反应器中，在≥150℃的反应器温度下聚合包含乙烯、α‑烯烃、溶剂和如本文所述的金属络合物的反应混合物。一种确定聚合物组合物的TGIC宽度参数B1/x的方法，该聚合物组合物包含一种或多种基于烯烃的聚合物。
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公开(公告)号：CN114641675A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080052812.4
申请日：2020-06-15
申请人： 格里菲斯大学
摘要： 一种传感平台包括半导体结，尤其是SiC/Si异质结，其中一对电极以间隔开的关系位于所述半导体结的上部层的表面上。所述传感平台包括在所述上部层的所述表面上方的光源，其用以照明包括所述电极中的一个的至少部分的所述半导体结的所述表面的部分，以通过半导体中的光伏效应在所述一对电极之间产生横向电位梯度。例如力和温度的参数是基于测量由于压阻效应和/或热阻效应引起的半导体材料的电阻的改变而被检测。外部电位差可施加在所述一对电极之间以产生调谐电流以调制所述半导体结中的所述压阻效应和所述热阻效应。所述传感平台用于高度灵敏力传感器和高度灵敏温度传感器。
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公开(公告)号：CN112236686B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201980038133.9
申请日：2019-04-08
申请人： 奥特逻科公司
IPC分类号： H01L31/00 , H01L27/144 , H01L27/146
摘要： 一种光探测装置，包括吸收层，该吸收层被配置为吸收光子并从吸收的光子产生光载流子，其中，该吸收层包括锗。载流子引导单元电耦合到吸收层，其中，载流子引导单元包括具有第一栅极端子的第一开关。
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公开(公告)号：CN107004690B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680003689.0
申请日：2016-10-21
申请人： 松下知识产权经营株式会社
发明人： 玉置德彦
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/00 , H01L31/10 , H04N5/3745
摘要： 本申请的光传感器具备：半导体层；半导体层上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对半导体层内的源极区和漏极区中的一者与栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与源极区和漏极区中的另一者连接。光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在第一电压范围与第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比第一电压范围和第二电压范围小，电压供给电路以使施加于光电转换层的偏压为第三电压范围内的方式施加电压，信号检测电路对与由入射光而产生的光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。
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公开(公告)号：CN111263981A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201780096006.5
申请日：2017-10-31
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司
IPC分类号： H01L31/00 , H01L31/048 , C08L23/00 , C08L23/04 , C08L23/08 , C08K5/54 , C08K5/544 , C08K5/5445 , C08K5/549
摘要： 本公开涉及由可固化组成物制得的封装膜，所述可固化组成物包括：(A)聚烯烃聚合物；(B)有机过氧化物；(C)硅烷偶合剂；以及(D)包括式(I)的单环有机硅氮烷的辅剂。
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