公开(公告)号：CN116259672B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202211095539.0

申请日：2022-09-06

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 董鑫 ,  何博 ,  王永磊 ,  何永才 ,  张华 ,  张富 ,  顾小兵 ,  李巧艳 ,  徐希翔

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06

摘要： 本申请公开了一种太阳能电池，包括光吸收层、钝化层和载流子传输层；其中，所述光吸收层的至少一侧表面设置有所述钝化层和所述载流子传输层，位于所述光吸收层同一侧表面的所述钝化层和所述载流子传输层均与所述光吸收层接触。本申请提出的太阳能电池，该太阳能电池中图形化的钝化层可以钝化光吸收层界面的缺陷，降低界面载流子复合，同时图形化的载流子传输层可以避免整面钝化层抑制载流子提取的问题，保证电荷的有效提取。

公开(公告)号：CN118522776A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311246612.4

申请日：2023-09-25

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 汪根顺 ,  黄志鹏 ,  王婷婷 ,  邱浩然 ,  吴华 ,  曹玉甲 ,  方亮

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：衬底；衬底包括相对分布的第一侧和第二侧；载流子收集传输层，位于衬底的第一侧和第二侧，或两侧中的一侧上；载流子收集传输层包括：纳米晶掺杂层，靠近衬底；非晶掺杂层，位于纳米晶掺杂层上；导电层，位于非晶掺杂层上；导电层的电导率，大于纳米晶掺杂层的电导率。非晶掺杂层的性能较为稳定，不容易受到影响，例如，不容易受到湿法工艺的影响，纳米晶掺杂层上的非晶掺杂层保护了纳米晶掺杂层，维持了其良好的钝化接触性能。位于非晶掺杂层上的导电层的电导率较大，其对非晶掺杂层的接触性能有良好的辅助功能，可以提升太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN114284368B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202111550738.1

申请日：2021-12-17

申请人： 通合新能源(金堂)有限公司

发明人： 刘冰 ,  刘泽文

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

摘要： 一种太阳能电池片的镀膜工艺，属于太阳能电池技术领域。太阳能电池片的镀膜工艺包括：在预设温度范围内对具有减反射膜的硅片进行补镀，预设温度范围为450‑500℃，补镀的步骤包括：采用射频放电的方式激发补镀气体产生等离子体沉积在硅片的减反射膜表面形成氮化硅；沉积包括第一次沉积和第二次沉积，第一次沉积的射频放电的功率为12500～13200W，压强为1600～1700mtorr，时间为65～75s；第二次沉积的射频放电的功率为13000～14000W，压强为1700～1800mtorr，时间为20～30s。其能够减少太阳能电池的边缘绕镀的情况。

公开(公告)号：CN118398710A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410492322.6

申请日：2024-04-23

申请人： 绵阳炘皓新能源科技有限公司

发明人： 刘大伟 ,  陈杰 ,  张洪涛 ,  刘思瑞 ,  周珊合 ,  杨仕林 ,  吴秋宏 ,  何振雄

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06

摘要： 本发明公开了一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法及一种N型TOPCon电池，电池制备技术领域，包括将硅片依次进行以下步骤：S1：制绒去损伤层；S2：PN结制作；S3：去除硼硅玻璃，并对背表面进行抛光和边缘刻蚀得到电池初始结构；S4：将所述电池初始结构进行双面氧化；S5：在背面沉积一层多晶硅层；S6：在背面进行离子注入；S7：在背表面镀一层SiNx:H膜层；S8：去除多晶硅层及氧化层；S9：在正表面依次沉积一层Al2O3及SiNx:H膜层；S10：设置电极。本发明通过预先在正表面及背表面氧化的方法均生长一层氧化硅层，不仅能够保护正表面对晶硅绕镀层去除过程中对中心区域的破坏作用，而且也解决了硼硅玻璃层保留时产生的边缘漏电较大的问题。

公开(公告)号：CN116093208B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202310304298.4

申请日：2023-03-24

申请人： 通威太阳能(安徽)有限公司

发明人： 韩宗谕

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/06

摘要： 本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池。该太阳能电池的制备方法包括：提供一个表面未制绒的硅基片；于未制绒的硅基片的两个表面上均制备本征非晶硅层；于两个本征非晶硅层的表面上分别制备n型微晶掺杂层及p型微晶掺杂层；对n型微晶掺杂层和p型微晶掺杂层的表面进行制绒。该太阳能电池的制备方法能够使得本征非晶硅薄膜与硅基质的接触效果较好，降低了掺杂微晶硅薄膜与硅基质的直接接触的风险，进而提高电池的转换效率。

公开(公告)号：CN115411150B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202211199636.4

申请日：2022-09-29

申请人： 通威太阳能(成都)有限公司

发明人： 张明 ,  孟夏杰 ,  范建彬

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明提供了一种太阳电池及其制备方法，太阳电池的制备方法包括如下步骤：提供太阳电池基片，太阳电池基片包括需要进行第一处理的区域A和无需进行第一处理的区域B；在区域B上形成磷硼共掺杂氧化硅层；对区域A进行第一处理；其中，第一处理包括制绒处理、刻蚀处理和去绕镀处理中的一种或多种。该太阳电池的制备方法通过在太阳电池基片不需要进行第一处理的区域B上形成磷硼共掺杂氧化硅层作为掩膜层，在对太阳电池基片的区域A进行第一处理时，该磷硼共掺杂氧化硅层可以对区域B起到良好的阻挡作用，从而为区域A的第一处理工序提供足够长的时间窗口，有利于提高太阳电池的良率。

公开(公告)号：CN118299462A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410393369.7

申请日：2024-04-02

申请人： 江苏新璟宏能源科技有限公司

发明人： 谢喜松 ,  崔喜文 ,  黄迎春 ,  徐国军

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种提高电池组件输出功率的方法，在光伏电池组件制造生产前增加光处理工序，将长时间存放的电池片再次经过光处理激发电池片中电子和空穴的复合来增加电子和空穴的浓度，从而提升电池片的效率，电池片经过光处理提升效率抵消暗衰的效率，使效率提升至原来的水平，以达到控制电池组件来料电池片功率暗衰，减少来料电池片功率损失，从而提高组件输出功率的目的，光处理工序之后还增加了前测试，因为在光处理之后的电池片的电性能参数会有变化，部分电池片功率会与标签功率不一致，直接串焊生产会造成EL不良、功率超标或功率不达标等问题，因此需要重新测试达标合格之后再进行电池组件的加工生产。

公开(公告)号：CN118248786A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410385373.9

申请日：2024-04-01

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  王平 ,  郎芳 ,  翟金叶 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  史金超 ,  于波 ,  麻超 ,  刘莹 ,  邵海涛 ,  张伟 ,  赵亮 ,  李晨曦 ,  李永康 ,  闫美楠 ,  邢博

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供了一种低金属接触复合隧穿钝化接触太阳能电池制备方法及隧穿钝化接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括在N型硅片背面交替制备多层隧穿氧化硅层和多层磷掺杂多晶硅层，构成多叠层结构层；利用激光对磷掺杂多晶硅层上的指定区域进行热处理，去除指定区域内最外层的隧穿氧化硅层，同时保持预制备金属栅线接触区域完整的多叠层结构层。本发明制备的隧穿钝化接触太阳能电池能够适配更薄的磷掺杂多晶硅层厚度，而不会导致背面金属接触复合的上升，能够大幅度降低背面多晶硅层厚度，适用于厚度＜80nm的磷掺杂多晶硅层上的低金属接触复合，提升设备产能，减少背面多晶硅层光寄生吸收，提升电池效率。

公开(公告)号：CN118186566A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410297042.X

申请日：2024-03-15

申请人： 暨南大学

发明人： 范建东 ,  张景珅 ,  李闻哲 ,  张赵兵 ,  杨文建

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B7/08 ,  C30B29/12 ,  H01L31/115 ,  H01L31/06 ,  H01L33/00

摘要： 本发明涉及钙钛矿单晶材料技术领域，特别是涉及全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料及其制备方法。本发明方法包括以下步骤：按所述全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料的原子配比选取原料混合溶解于酸中，加热挥发溶液，之后降温结晶，得到钙钛矿单晶；将所述钙钛矿单晶利用布里奇曼法制备出所述全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料。本发明通过将降温结晶所得的钙钛矿单晶采取布里奇曼法制备出大尺寸单晶；本发明方法简单，利用本发明方法制备得到的全无机ABX结构的大尺寸钙钛矿单晶材料对于波长小于400nm的紫外光和X射线有较好的反应，在X射线探测领域有很好的应用潜力，可以用于X射线探测器件制备。

公开(公告)号：CN117894855A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202211227553.1

申请日：2022-10-09

申请人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司

发明人： 王森 ,  吴华德 ,  蒋方丹

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/05 ,  H01L31/06 ,  B41M1/26

摘要： 本发明公开了一种用于电池片的栅线制备方法及其电池片、光伏组件，栅线制备方法包括以下步骤：将的硅片翻转至正面朝上并传输至第三印刷机位上，在第三印刷机位根据硅片位置调整第三印刷头的位置后在硅片的正面印刷正面副栅线；将硅片传输至第四印刷机位上，在第四印刷机位根据硅片位置调整第四印刷头的位置后并在硅片的正面印刷正面主栅线；在第三印刷机位和第四印刷机位中的其中一个通过红外相机获取邻近硅片的边缘背面主栅线的两端的PAD点后，调整第三印刷头或第四印刷头的位置。根据本发明的栅线制备方法，降低正面主栅线和背面主栅线之间的偏移量，以使正面主栅线和背面主栅线重合。