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公开(公告)号：CN118969920A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411173167.8
申请日：2024-08-26
申请人： 江西耀驰科技有限公司 , 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种反极性红光LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供P面外延层；在P面外延层远离打线电极的表面制作导电柱；在导电柱的外围制作介质层，使介质层覆盖于P面外延层远离打线电极的表面并将导电柱包裹；对介质层进行腐蚀，得到大于打线电极直径的介质层通孔；在介质层通孔内与介质层远离P面外延层的表面沉积ITO材料，得到透明导电层；在透明导电层远离介质层的表面蒸镀反光金属材料，得到镜面层；将镜面层键合至背面具有N电极的衬底基板之上。本发明解决了现有技术中SiO2介质层的应力较大，AuZn和SiO2介质层之间的粘附性较差，在终端打线过程容易出现键合脱层现象的技术问题。
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公开(公告)号：CN111293209B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010229767.7
申请日：2020-03-27
申请人： 宁波升谱光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/42 , H01L33/48 , H01L25/075 , G09F9/33
摘要： 本发明公开了一种透明显示设备，包括透明基板、多个LED芯片及透明导电线；所述LED芯片设置于所述基板的第一表面，并通过所述透明导电线与外部电路电器连接；所述LED芯片为倒装芯片，且所述LED芯片的电极为透明电极；所述透明基板为具有多个通孔的基板；所述透明导电线穿过所述通孔，实现过孔连接。本发明通过采用透明导电线解决了导线遮光的问题，使所述透明导电线可紧贴所述透明基板设置，在简化生产工艺的同时提高了产品良率；本发明将所述LED的电极设置为透明电极，保证所述LED芯片的透光性，实现了显示设备的透明化。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的透明显示设备的制备方法。
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公开(公告)号：CN114824019B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210367175.0
申请日：2022-04-08
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
发明人： 阚钦
摘要： 本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、第二导电型半导体和透明导电层，第二导电型半导体和透明导电层组成接触层结构，透明导电层的C、O浓度沿(001)方向从高C、O浓度>3E18cm‑3迅速下降至低C、O浓度 3E18cm‑3；透明导电层形成低浓度CO杂质
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公开(公告)号：CN118522746A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410564888.5
申请日：2024-05-08
申请人： 昆山龙腾光电股份有限公司
摘要： 一种Micro LED显示装置，包括Micro LED发光层和电控视角切换层，电控视角切换层包括光栅结构层，光栅结构层包括多个呈长条形结构的光栅条，每个光栅条包括呈长条形结构的格栅块及设置于格栅块上的电致变色层，电致变色层具有透明态和不透明态，且通过对电控视角切换层施加不同的电压，电致变色层能够在透明态和不透明态之间进行切换，从而使对应的光栅条能够在透光状态和遮光状态之间进行切换；当光栅条处于透光状态时，Micro LED显示装置呈宽视角模式；当光栅条处于遮光状态时，Micro LED显示装置呈窄视角模式。该Micro LED显示装置既保持了Micro LED显示技术高品质的显示效果，又能够实现宽窄视角切换，以达到防窥的目的。
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公开(公告)号：CN118414714A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280083273.X
申请日：2022-11-16
申请人： 亮锐有限责任公司
摘要： 一种发光器件包括：半导体二极管结构(102)、反射器(600)、波长转换层(106)、以及在二极管结构和波长转换层之间的中间间隔物(700)。二极管结构发射处于真空波长λ0的二极管输出光，以在二极管结构内传播。反射器在二极管结构的后面上，并且内反射二极管内部入射的输出光。波长转换层(106)被定位成其后表面面向二极管结构(102)的前表面(即，图中的上表面)并与二极管结构(102)的前表面间隔开，并且吸收处于λ0的二极管输出光并发射处于真空波长λ1的下转换光，λ1>λ0，该下转换光通过其前表面离开波长转换层。中间间隔物(700)包括一个或多个透明电介质层，并且具有小于波长转换层(106)的有效折射率nC的有效折射率nS，使得波长转换层充当支持在λ0和λ1下的一个或多个横向传播光学模式的光波导。
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公开(公告)号：CN118367078A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410496965.8
申请日：2024-04-24
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有有机透明导电层结构的AlGaInP发光二极管及其制备方法，属于半导体加工技术领域，依次包括N电极、GaAs衬底、AlGaInP外延层、电流扩展层和P电极，其中电流扩展层采用PEDOT:PSS，制备方法中，在GaP腐蚀后表面旋涂PEDOT:PSS，之后蒸镀P电极，减薄以及蒸镀N电极，切割管芯等。本发明使用有机透明导电材料PEDOT:PSS作为电流扩展层，透明度高，电导率高，热稳定性好，造价低，并且具体良好的成膜性。
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公开(公告)号：CN118335864A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410415848.4
申请日：2020-02-06
申请人： 首尔伟傲世有限公司
摘要： 根据一实施例的显示器用发光元件包括：第一LED叠层；第二LED叠层；第三LED叠层；第一透明电极，夹设在所述第一LED叠层和所述第二LED叠层之间，并且欧姆接触到所述第一LED叠层的下面；第二透明电极，夹设在所述第一LED叠层和所述第二LED叠层之间，并且欧姆接触到所述第二LED叠层的上面；第三透明电极，夹设在所述第二LED叠层和所述第三LED叠层之间，并且欧姆接触到所述第三LED叠层的上面；n电极垫，布置在所述第三LED叠层的第一导电型半导体层上；下部p电极垫，布置在所述第三透明电极上；以及凸块垫，布置在所述第一LED叠层上，所述n电极垫的上表面与所述下部p电极垫的上表面位于同一高度。
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公开(公告)号：CN118315494A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410448432.2
申请日：2024-04-15
申请人： 湖南蓝芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及降低电压的LED芯片及其制备方法。降低电压的LED芯片包括衬底，所述衬底上设置有外延片，所述外延片上镀膜TiN层及ITO透明导电层，所述TiN层及ITO透明导电层与P‑GaN层表明形成欧姆接触，实现了ITO和GaN更好的欧姆接触降低电阻和工作电压，减少ITO在直流磁控溅射中对P‑GaN表面离子轰击造成的破坏。
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公开(公告)号：CN111508939B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010010973.9
申请日：2018-12-04
申请人： 首尔伟傲世有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , G02B5/26 , H01L33/46 , H01L33/64
摘要： 一种发光器件及显示设备，所述发光器件包括：第一LED堆叠；第二LED堆叠，设置在所述第一LED堆叠上；第三LED堆叠，设置在所述第二LED堆叠上；凸块焊盘，设置在所述第一LED堆叠下方；以及填料，填充所述凸块焊盘之间的区域，所述凸块焊盘包括：公共凸块焊盘，共同电连接到所述第一LED堆叠、所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠；以及第一凸块焊盘、第二凸块焊盘和第三凸块焊盘，分别连接到所述第一LED堆叠、所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠，所述第一LED堆叠、所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠是独立地可驱动的，在所述第一LED堆叠中产生的光通过所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠发射到外部，在所述第二LED堆叠中产生的光通过所述第三LED堆叠发射到外部。
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