公开(公告)号：CN109643761B9

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN201780049866.3

申请日：2017-09-19

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 金勇男 ,  朴祥准 ,  金世龙 ,  金悳焕

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/00

摘要： 本说明书提供了有机-无机杂化太阳能电池，其包括：第一电极；设置在第一电极上的第一公共层；设置在第一公共层上并且包含具有钙钛矿结构的化合物的光吸收层；设置在光吸收层上的第二公共层；设置在第二公共层上的第三公共层；以及设置在第三公共层上的第二电极，其中第一公共层包含第一金属氧化物纳米颗粒，第二公共层包含第二金属氧化物纳米颗粒，第三公共层包含富勒烯衍生物。

公开(公告)号：CN115551852A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180034264.7

申请日：2021-08-04

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 郑珉祐 ,  李东勋 ,  徐尚德 ,  李征夏 ,  韩修进 ,  朴瑟灿 ,  黄晟现

IPC分类号： C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

摘要： 本发明提供新型化合物及利用其的有机发光器件。

公开(公告)号：CN110366554B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201880013760.2

申请日：2018-07-20

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 李征夏 ,  李东勋 ,  朴胎润 ,  赵圣美 ,  许东旭 ,  郑珉祐

IPC分类号： C07D495/04 ,  C07D491/048 ,  C07D307/91 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

摘要： 本发明涉及新的杂环化合物和使用其的有机发光器件。

公开(公告)号：CN115515951A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180032989.2

申请日：2021-07-07

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 尹正民 ,  许东旭 ,  洪性佶 ,  韩美连 ,  尹喜敬

IPC分类号： C07D405/04 ,  C07D405/10 ,  C07D405/14 ,  C07D409/14 ,  C07D409/10 ,  C07D491/048 ,  C07D409/04 ,  H01L51/00

摘要： 本说明书涉及化学式1的化合物及包含其的有机发光器件。

公开(公告)号：CN115513382A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211158681.5

申请日：2022-09-22

申请人： 北京理工大学长三角研究院(嘉兴) ,  北京理工大学

发明人： 姜澜 ,  宁子骞 ,  孙靖雅

IPC分类号： H01L51/48 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42

摘要： 本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在预处理基材表面利用飞秒激光加工出微孔阵列图形，然后依次经清洗、刻蚀、清洗和干燥，制得飞秒激光加工层；旋涂钙钛矿前驱液，退火，然后重复旋涂和退火，再最终退火，制得钙钛矿薄膜。本发明有效地在飞秒激光加工的微孔阵列中制备了MAPbI3钙钛矿，制备工艺简洁巧妙，钙钛矿仅均匀分布在加工后的区域且贴合加工的三维微纳立体结构，同时具有良好的稳定性和晶体质量。

公开(公告)号：CN115513374A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211179101.0

申请日：2022-09-27

申请人： 深圳职业技术学院 ,  北京大学深圳研究生院

发明人： 章晨 ,  罗少川 ,  汪太民 ,  滕超 ,  李林玲 ,  王勇

IPC分类号： H01L51/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种柔性有机半导体纳米线的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1)将一定质量的有机半导体材料与弹性体和溶剂混合后得到共混溶液；S2)将掩膜版覆盖在基底表面，通过刻蚀对基底进行表面修饰，在基底上形成凹槽；S3)将基底固定于旋转台一侧，在基底上滴加所述共混溶液后开启旋转台，溶液沿着基底凹槽固化形成纳米线。使用有机半导体与弹性体的共混溶液，在离心旋涂过程中，使得半导体材料在弹性体内部形成相分离连续网络，并同时在基底凹槽内固化形成纳米线，可以高效制备宽度窄，长度长，高柔性抗拉伸，并且载流子迁移率高的有机半导体纳米线。

公开(公告)号：CN115472746A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211125116.9

申请日：2022-09-14

申请人： 云南大学

发明人： 张文华 ,  王润梼 ,  赵荣梅

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/48

摘要： 本发明申请是关于一种用于水下环境的光伏电池及其制作工艺，本发明中光吸收材料为铅基钙钛矿半导体；宽带隙的光伏电池可用于水下光伏发电，解决现有技术难以为水下用电设备长时供电的难题。该电池的主要结构包括可弯曲金属衬底、空穴传输材料、空穴改性层、钙钛矿光吸收材料、钝化层、电子传输层以及透明电极等。水下使用的光伏电池中钙钛矿光吸收层的带隙较宽（约1.9~2.5eV）,以甲脒铅溴三FAPbBr3钙钛矿材料为基础，针对不同的水深，选用不同带隙的钙钛矿吸光材料。

公开(公告)号：CN111172496B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202010076403.X

申请日：2016-02-03

申请人： 大日本印刷株式会社

发明人： 宫寺仁子 ,  二连木隆佳 ,  武田利彦

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L51/00

摘要： 本发明提供一种即使在大型化的情况下也能够实现轻量化且可形成比以往更高精细的蒸镀图案的蒸镀掩模的制造方法、可制造与比以往更高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。所述方法具有如下的工序：准备层积有设有缝隙的金属掩模和树脂板的带树脂板的金属掩模；从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部，在形成所述开口部的工序中，通过使用设有开口区域和衰减区域的激光用掩模，利用在所述开口区域通过的激光在树脂板上形成与要蒸镀制作的图案对应的开口部，并且利用在所述衰减区域通过的激光在所述树脂板的开口部周围形成薄壁部，所述开口区域与所述开口部对应，所述衰减区域使照射的激光的能量衰减。

公开(公告)号：CN111094239B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201880060245.X

申请日：2018-10-17

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 尹俊 ,  尹胄镛 ,  金渊焕 ,  洪玩杓

IPC分类号： C07C255/35 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  C09K11/06

摘要： 本发明提供了新的化合物和包含其的有机发光器件。

公开(公告)号：CN115461348A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030684.8

申请日：2021-04-23

申请人： 三星显示有限公司

发明人： S·杜克

IPC分类号： C07F5/02 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  C09K11/00

摘要： 发明涉及(具体地，应用于光电器件中的)有机分子。根据发明，有机分子由多个单元表示，其中，每个单元包括由式(I)表示的结构或由由式(I)表示的结构组成：其中，n＝0或1；并且X在每次出现时独立地选自于由直连键、CR3R4、C＝CR3R4、C＝O、C＝NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2组成的组。