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公开(公告)号：CN118901195A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380024928.0
申请日：2023-04-13
申请人： 日立安斯泰莫株式会社
摘要： 本发明提供一种兼顾散热性的提高和可靠性的提高的半导体模块。半导体模块具备具有直流布线(14‑15)和交流布线(16)的基板(13)以及半导体封装件(50)，所述基板(13)具备：层叠区域(61)；以及连接区域(62)，其是具有与端子连接的端子连接部(63)的区域，所述连接区域(62)具有将多个所述直流布线(14‑15)或所述交流布线(16)相互电连接的第一层叠布线连接部(60)，所述第一层叠布线连接部(60)设置于在所述基板(13)的厚度方向上与所述端子连接部(63)不重叠的位置，在与所述端子所连接的所述基板(13)的表面相反一侧的面上，散热基座(65)配置在至少包含在所述基板(13)的厚度方向上与所述第一层叠布线连接部(60)重叠的位置的范围内。
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公开(公告)号：CN118891814A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202280093658.4
申请日：2022-03-18
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H02M7/48 , H02M7/5387 , H02M1/08 , H02M1/088 , H02M1/32 , H05K7/20 , H01L23/473
摘要： 本发明的目的在于减小包含并联连接的Si开关元件及SiC开关元件的逆变器的总损耗。逆变器(101)具有SiC MOSFET模块(1)、与SiC MOSFET模块(1)并联连接的Si IGBT模块(2)、对SiC MOSFET模块(1)进行控制的SiC MOSFET模块用控制电路(7)和对Si IGBT模块(2)进行控制的Si IGBT模块用控制电路(8)。SiC MOSFET模块用控制电路(7)在SiC MOSFET模块(1)的元件温度高于第1阈值的情况下，停止SiC MOSFET模块(1)的驱动。Si IGBT模块用控制电路(8)在Si IGBT模块(2)的元件温度高于第2阈值的情况下，停止Si IGBT模块(2)的驱动。
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公开(公告)号：CN118891196A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380027723.8
申请日：2023-05-18
申请人： 株式会社石川能源研究
发明人： 石川满
摘要： 本发明提供一种能够有效地冷却构成设备的飞行装置。飞行装置（10）具备：机体基座（14）、电源部、从机体基座（14）朝向周围延伸的臂（11）、配设在臂（11）的端部侧的旋翼（12）、驱动旋翼（12）旋转的电机（17）、以及对从电源部向电机（17）供给的电力进行转换的电力转换部（19）。电力转换部（19）在旋翼（12）的旋转范围（24）的下方设置在臂（11）上。
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公开(公告)号：CN118889468A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411012464.4
申请日：2024-07-25
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于滞后校正的构网型变换器功率振荡抑制方法，包括无功控制、虚拟电感控制、电压电流闭环控制以及改进有功控制。在改进有功控制中，首先经过有功控制器得到机械功率，再将机械功率分别经过频率控制器和滞后校正控制器得到相位初始量和相位校正量，最后将相位初始量和相位校正量叠加即可得到校正后的输出相位。本发明可在实现系统惯量和阻尼的模拟与控制的同时，有效地抑制系统动态振荡，获得更加稳定的系统输出性能。
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公开(公告)号：CN110943624B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911309642.9
申请日：2019-12-18
申请人： 天宝电子(惠州)有限公司 , 惠州市天宝创能科技有限公司 , 达州市天宝锦湖电子有限公司
摘要： 本发明涉及电源谐振技术领域，具体公开了一种零电压开关的谐振电源变换电路及变换器，所述电路包括谐振电路、谐振控制器、能量耦合和电平移位电路、零电压检测电路、隔离变压器、整流电路、PFC电路、滤波电路。本发明使得电源变换器的开关管在宽输入电压范围内都能实现零电压开关，开关损耗低，电源变换器的效率高；使得电源变换器能适应输入电压和输出电压的大范围变化和调节；使得电源变换器只有一只功率开关器件，且功率开关器件能采用以地为参考点的驱动的方式，简化电路结构；使得电源变换器的隔离变压器不参与谐振，提高电源变换器对负载变化的适应性，电源变换器在全负载范围内都能实现零电压开关，提高了效率。
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公开(公告)号：CN114784779B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210571213.4
申请日：2022-05-24
申请人： 湖南大学
摘要： 一种多功能消弧变流器及其控制方法，该多功能消弧变流器包括三相的级联H桥整形电路单元，级联H桥整形电路单元中各相结构相同，均包括多个子模块，该多功能消弧变流器还包括与级联H桥整形电路单元串联的方波电路单元，方波电路单元为三相四桥臂的二极管钳位型电路。该多功能消弧变流器在配电网正常时，方波电路单元中NPC变换器的n相封锁，多功能消弧变流器工作于无功补偿模式，在配电网发生单相接地故障时，多功能消弧变流器工作于消弧模式，其利用非故障相的一相或两相注入消弧电流以补偿配电网对地电容电流，从而抑制故障点的电流为0。本发明提供的多功能消弧变流器可有效减少级联数量，降低成本、减小损耗、提高效率和功率密度。
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公开(公告)号：CN118805328A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380024930.8
申请日：2023-03-16
申请人： 日立安斯泰莫株式会社
IPC分类号： H02M7/48
摘要： 一种电力转换装置，其具备半导体装置以及布线基板，所述布线基板具有贯通孔，并且以所述半导体装置的散热片和所述绝缘树脂的一部分通过所述贯通孔向所述布线基板的另一个面突出的方式配置，所述半导体装置具有凸缘部，在所述贯通孔的内周面与所述贯通孔内的所述半导体装置的所述绝缘树脂之间的间隙或所述布线基板的所述一个面与所述凸缘部之间的间隙的至少一方填充有第一树脂材料，在所述布线基板的一个面上涂敷有至少覆盖所述外部端子和所述电力布线层的连接部的第二树脂材料。
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公开(公告)号：CN118801712A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411281884.2
申请日：2024-09-13
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H02M7/48
摘要： 本发明公开了一种低载波比下的三相逆变器离散域电流解耦控制方法，包括如下步骤：根据被控对象（带有R‑L滤波器的并网变流器、离网逆变器或交流电机）电流内环的离散域数学模型，设计含有可调参数k的同步旋转坐标系下电流内环的离散域调节器，并针对离散域调节器中的可调参数k，以稳定性为条件，确定k的取值范围，以消除d轴、q轴两个控制环的交叉耦合。本发明对模型中的电流交叉耦合项以及角度延迟导致的电压交叉耦合项分别进行解耦，电流解耦采用预测电流，解耦项与传统电流反馈解耦方法相比，受跟踪信号频率及参数误差影响较小，电流环鲁棒性更好。
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公开(公告)号：CN118801412A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410950246.9
申请日：2024-07-16
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种基于IPC‑GCFAD的并网逆变器中高频段振荡抑制实现方法，涉及电力电子技术功率变换器性能技术领域，通过在GCFAD反馈回路的基础上，加入改进的相位超前补偿器，不仅能够有效减少系统因延时环节导致的相位滞后，进而可以扩大GCFAD为系统提供的虚拟正电阻区间，保障有源阻尼在阻抗宽范围变化时能始终提供虚拟正电阻，提高阻抗交互在中高频段时的系统稳定性，抑制系统中高频段易存在的振荡问题。
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公开(公告)号：CN118783796A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410821062.2
申请日：2024-06-24
申请人： 镇江电力设计院有限公司
IPC分类号： H02M7/48 , H02M7/5387 , H02M1/08 , H02J3/38
摘要： 本发明公开了一种LCL型并网逆变器的控制方法和系统，其涉及电力传动技术领域。包括：获取LCL型并网逆变器的电网电流和电容电压在k+1时刻的预测值；提取LCL型并网逆变器在设定时刻k的电容电压的高频谐振分量，并获取高频谐振分量在k+1时刻的预测值，构建用于抑制LCL型并网逆变器系统谐振的跟踪价值函数J；获取跟踪价值函数J的极小值，得到静止α‑β坐标系下的逆变器最优电压参考值uα*和uβ*；以此生成控制脉冲信号，将脉冲信号应用于LCL型并网逆变器的开关管，以实现对LCL型并网逆变器的预测控制。本发明不需要引入多个权重因子，避免单矢量有限控制集中开关频率不固定的问题，提升了系统的稳态控制性能。
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