半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115428142A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202080100078.4

    申请日:2020-04-27

    摘要: 具有:金属块;半导体元件,其通过第1接合材料固定于该金属块的上表面,纵向地流过电流;主端子,其通过第2接合材料固定于该半导体元件的上表面;信号端子,其与该半导体元件电连接;以及模塑树脂,其将该半导体元件、该第1接合材料、该第2接合材料覆盖,将该金属块、该主端子、该信号端子的一部分覆盖,该金属块的下表面从该模塑树脂露出,该主端子和该信号端子从该模塑树脂的侧面露出,该主端子具有该模塑树脂中的第1部分、与该第1部分连接且在该模塑树脂外部向下方弯曲的第2部分、与该第2部分连接且与该模塑树脂的下表面大致平行的第3部分。

    半导体装置的制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118412287A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410086621.X

    申请日:2024-01-22

    IPC分类号: H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60

    摘要: 目的在于提供在不使与绝缘层的下表面接合的金属板的刚性提高的状态下,能够降低在半导体模块与金属基座板接合时产生的向绝缘层的应力的技术。半导体装置(100)的制造方法具有传递模塑工序和模塑封装安装工序。模塑封装安装工序包含下述工序,即,经由第2接合材料(9)将半导体模块(50)配置于金属基座板(1)的上表面,在对金属基座板、第2接合材料及半导体模块进行加热而使第2接合材料熔融后,将金属基座板、第2接合材料及半导体模块冷却而使第2接合材料固化。在金属基座板、第2接合材料及半导体模块冷却时,第2接合材料的固相线处的金属基座板的上表面温度与第1金属板(4)的下表面温度之差小于或等于5℃。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109844936B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN201680090273.7

    申请日:2016-10-24

    IPC分类号: H01L23/28 H01L23/48

    摘要: 在半导体芯片(9)的上表面设有相互分离的第1以及第2发射极电极(12、13)。配线部件(15)具有与第1发射极电极(12)接合的第1接合部(15a)、以及与第2发射极电极(13)接合的第2接合部(15b)。树脂(2)对半导体芯片(9)、第1以及第2发射极电极(12、13)、以及配线部件(15)进行封装。在第1接合部(15a)和第2接合部(15b)之间,设有将配线部件(15)上下贯穿的孔(18)。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117043937A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202180096066.3

    申请日:2021-03-25

    IPC分类号: H01L23/40

    摘要: 提供低成本且散热性优异的半导体装置。半导体装置具有散热器、半导体元件、金属块、端子以及封装材料。半导体元件包含表面电极。半导体元件安装于散热器的上表面。金属块包含接合面和散热面。接合面与半导体元件的表面电极接合。散热面经由绝缘部件与散热器的上表面连接。金属块以跨过半导体元件的至少1个边的上方的方式设置。端子呈板形状。端子的第1端与金属块接合。端子的第2端位于与第1端相反侧,形成为能够与外部电路连接。封装材料将散热器、半导体元件、金属块和端子的第1端封装。端子的第2端从封装材料露出。

    半导体装置、半导体系统、移动体及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN114787994A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN201980102826.X

    申请日:2019-12-13

    发明人: 吉松直树

    IPC分类号: H01L25/07 H01L25/18

    摘要: 对半导体元件与冷却器电短路进行抑制,高效地释放由半导体元件产生的热量。半导体装置具有层叠体、半导体元件及冷却器。层叠体具有第1导电体层、第1绝缘体层、第2导电体层、第2绝缘体层及第3导电体层。第1导电体层、第1绝缘体层、第2导电体层、第2绝缘体层及第3导电体层被层叠起来。第1绝缘体层配置于第1导电体层和第2导电体层之间,使第1导电体层与第2导电体层电绝缘。第2绝缘体层配置于第2导电体层和第3导电体层之间,使第3导电体层与第2导电体层电绝缘。半导体元件安装于第1导电体层之上。冷却器连接于第3导电体层。