公开(公告)号：EP0177571A1

公开(公告)日：1986-04-16

申请号：EP85901810.0

申请日：1985-03-19

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： THOMAS, Mammen ,  KOYAMA, Linda, J.

IPC分类号： H01L21 ,  H05K3

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/76819

摘要： Procédé pour rendre plane une structure de circuit intégré (30) par un procédé en deux étapes comportant: application sur une couche de métallisation (40, 42, 44) comportant une ou plusieurs ouvertures (46, 48) d'une couche d'isolation (50') suffisamment mince pour éviter la formation de criques dans la partie d'isolation appliquée dans les ouvertures de la couche de métallisation, lissage de la couche d'isolation par retrait des parties élevées de l'isolation par exemple par attaque par voie sèche de l'isolation, application d'une autre couche d'isolation (70) sur la première couche d'isolation et lissage de l'autre couche d'isolation par retrait des parties élevées par exemple par attaque par voie sèche; ainsi, la surface d'isolation lisse résultante sera essentiellement plane et exempte de criques. Dans un mode préférentiel de réalisation, un second matériau, par exemple un matériau de photoréserve (60, 80), est enduit sur la couche d'isolation avant l'étape de lissage, en particulier lors de l'utilisation d'un procédé d'attaque par voie sèche anisotrope, afin de garantir que seules les parties élevées de la couche d'isolation sont retirées lors de l'étape d'attaque.