公开(公告)号：EP1811567A3

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：EP07354005.6

申请日：2007-01-19

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Joly, Jean-Pierre ,  Faynot, Olivier ,  Clavelier, Laurent

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/8221

摘要： Le circuit intégré tridimensionnel de type CMOS est formé dans un substrat hybride. Des premiers transistors (13), de type n-MOS, sont formés, à un niveau inférieur (11), dans une première couche semi-conductrice en silicium ayant une orientation (100), éventuellement contrainte en tension. Des seconds transistors (15), de type p-MOS, sont formés, à un niveau supérieur (12), dans une seconde couche semi-conductrice en germanium ayant une orientation (110), de préférence monocristallin et contraint en compression. La seconde couche semi-conductrice est transférée sur un premier bloc dans lequel les transistors n-MOS ont préalablement été formés, puis les transistors p-MOS sont formés.

公开(公告)号：EP1811567B1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：EP07354005.6

申请日：2007-01-19

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Joly, Jean-Pierre ,  Faynot, Olivier ,  Clavelier, Laurent

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/8221

公开(公告)号：EP1628332A3

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：EP05291731.7

申请日：2005-08-16

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： Barbe, Jean-Charles ,  Vinet, Maud ,  Faynot, Olivier

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/26586

摘要： Un procédé de fabrication d'un élément en couches minces, avec une couche (2) d'un premier matériau qui porte un motif (8) d'un second matériau, comprend une étape de dopage par implantation d'une espèce chimique sur une partie au moins de l'ensemble couche-motif de manière à stabiliser le motif sur la couche.