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公开(公告)号：EP2801118A1
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：EP12819097.2
申请日：2012-12-19
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： This process for manufacturing a photovoltaic cell consists in: producing a semiconductor substrate (10) comprising first and second opposite sides (12, 16); producing, in the first side (12) of the substrate (10), a first semiconductor zone (14) doped by implanting first dopant elements into the thickness of the substrate and by thermally activating the first implanted dopant elements at a first activation temperature; and producing, on the second side (16) of the substrate (10), a second semiconductor zone (18) by implanting second dopant elements into the thickness of the substrate and by thermally activating the second implanted dopant elements at a second activation temperature that is below the first activation temperature. The substrate is more than 50 microns in thickness and at least the thermal activation of the first dopant elements is carried out by laser irradiation, the irradiation parameters being chosen so that the radiation is absorbed at most in a depth of the first micron of the substrate.
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公开(公告)号：EP3213352A1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：EP15784720.3
申请日：2015-10-26
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for manufacturing a photovoltaic cell which includes, in series: from a semi-conductive substrate (1) made of crystalline silicon doped according to a first type of doping, and including a first surface (10) and a second surface (11) opposite said first surface (10), texturising (20) the surface of at least the first surface (10) of the substrate (1); forming, on the first texturised surface (10), a first semi-conductive zone (12) doped according to a second type of doping by implantation (21) of first doping elements made up of boron atoms in at least one portion of the substrate (1) and by activation (23) of said first doping elements via laser irradiation (4) of said first surface (10); thermal annealing (22) of the texturised substrate (1) prior to the laser irradiation of the first surface (10), said prior thermal annealing (22) being carried out at a temperature of 600ºC to 950°C, for a time longer than one minute.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造光伏电池的方法，该光伏电池的方法包括以下步骤：从由根据第一类掺杂掺杂的晶体硅制成的半导体衬底（1），并包括第一表面（10）和第二表面 与所述第一表面（10）相对的表面（11），纹理化（20）所述衬底（1）的至少所述第一表面（10）的表面; 在所述第一纹理化表面（10）上形成根据第二类型掺杂的第一半导体区（12），所述第一半导体区通过在所述衬底的至少一部分中注入由硼原子构成的第一掺杂元素（21） （1）并通过所述第一表面（10）的激光照射（4）激活（23）所述第一掺杂元素; 在激光照射第一表面（10）之前对纹理化基底（1）进行热退火（22），所述在先热退火（22）在600℃至950℃的温度下进行比 等一下。
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公开(公告)号：EP3660928A1
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：EP19210356.2
申请日：2019-11-20
发明人： LANTERNE, Adeline
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
摘要： Réalisation d'une structure semi-conductrice pour cellule solaire avec des régions dopées N et N++ comprenant :
- implanter du Phosphore dans une zone superficielle d'un substrat (1) semi-conducteur,
- effectuer un recuit thermique de recristallisation localisé de premières régions (13a, 13b, 13c) de la zone superficielle à l'aide d'un laser tandis que des portions (11b, 11c) de la zone superficielle ne sont pas exposées au laser, puis
- conserver le substrat (1) sous atmosphère contrôlée pendant un temps d'attente prédéterminé supérieur à 1 h et avantageusement égal ou supérieur à 24h, puis,
- effectuer un recuit d'activation des dopants des premières régions (13a, 13b, 13c) et des dites portions par traitement thermique de l'ensemble des premières régions et desdites portions (11b, 11c).-
公开(公告)号：EP3671864A1
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：EP19217691.5
申请日：2019-12-18
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18 , H01L21/265 , H01L21/22 , H01L27/142 , H01L29/88
摘要： Ce procédé comporte les étapes :
a) prévoir un substrat en silicium cristallin ;
b) implanter des premiers dopants dans le substrat par implantation ionique par immersion plasma, de manière à obtenir un premier profil de concentration ;
c) implanter des seconds dopants dans le substrat par implantation ionique par immersion plasma, de manière à obtenir un second profil de concentration ;
d) appliquer un traitement thermique au substrat, adapté pour que les seconds dopants possèdent une vitesse de diffusion supérieure à celle des premiers dopants, jusqu'à obtenir :
- une première zone du substrat avec une différence de concentration entre les premiers dopants et les seconds dopants supérieure ou égale à une valeur seuil (C min ) prédéterminée,
- une seconde zone du substrat avec une différence de concentration entre les seconds dopants et les premiers dopants supérieure ou égale à la valeur seuil (C min ) prédéterminée.-
公开(公告)号：EP2801118B1
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：EP12819097.2
申请日：2012-12-19
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
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