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    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes auf einem Kupfersubstrat mit dazwischenliegender Isolationsschicht
    1.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes auf einem Kupfersubstrat mit dazwischenliegender Isolationsschicht 审中-公开
    一种用于与一个中间绝缘层制造铜衬底上的半导体元件的方法

    公开(公告)号：EP2665092A1

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：EP12168291.8

    申请日：2012-05-16

    申请人： Microdul AG

    发明人： Bucher, Benno ,  Stuber, Daniel

    IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L33/64

    CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/3735 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes (40), insbesondere von lichtemittierenden Dioden, setzt ein Kupfersubstrat (10) mit dazwischenliegender Isolationsschicht (50) ein. Dabei wird auf dem Kupfersubstrat (10) vor Aufbringen der Isolationsschicht (50) eine Sinter-Kupferschicht (60) aufgebracht.

    摘要翻译： 该方法包括在铜基板（10）上的绝缘层（50）的形成。 由氧游离的铜合金粉末和有机稀释剂的烧结铜层形成绝缘层，在氮气氛下之前铜基板的应用。 位于绝缘层上的LED（40）具有阻挡层没有达照明期间的适当温度，以便分布在圆顶（45）的光。 一个独立的claimsoft被包括的半导体元件。