公开(公告)号：EP1997130B1

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：EP07713227.2

申请日：2007-03-09

申请人： NXP B.V. ,  IMEC

发明人： VAN NOORT, Wibo D. ,  SONSKY, Jan ,  PIONTEK, Andreas M.

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7371

公开(公告)号：EP1997130A1

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：EP07713227.2

申请日：2007-03-09

申请人： NXP B.V. ,  Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw (IMEC)

发明人： VAN NOORT, Wibo D. ,  SONSKY, Jan ,  PIONTEK, Andreas M.

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/7371

摘要： The invention relates to a method of manufacturing a bipolar transistor on a semiconductor substrate (11) which is provided with a first, a second and a third layer (1,2,3) of a first, second and third semiconductor material respectively, all of a first conductivity type. A first portion of the second layer (2) is transformed into a buried isolation region (15) comprising a first electrically insulating material. A first semiconductor region (6) of the first conductivity type, comprising, for example, a collector region, is formed from a second portion of the second layer (2) adjoining the buried isolation region (15) and a portion of the first layer (1) adjoining the second portion of the second layer (2). Then a base region (7) is formed on the buried isolation region (15) and on the first semiconductor region (6) by transforming the third layer (3) into a second conductivity type, which is opposite to the first conductivity type. Thereafter a second semiconductor region (8) of the first conductivity type, comprising, for example, an emitter region, is formed on a part of the base region (7). This method provides for the formation of a bipolar transistor with an advantageous decrease of the extrinsic collector to base region (6,7) capacitance by the fact that the value of this capacitance is mainly determined by the buried isolation region (15) which has a substantially lower dielectric constant than that of the collector to base region (6,7) junction.

摘要翻译： 本发明涉及一种在半导体衬底（11）上制造双极晶体管的方法，所述半导体衬底（11）分别设置有第一，第二和第三半导体材料的第一，第二和第三层（1,2,3），全部 的第一导电类型。 第二层（2）的第一部分被转换成包括第一电绝缘材料的掩埋隔离区（15）。 包括例如集电极区域的第一导电类型的第一半导体区域（6）由邻接埋入隔离区域（15）的第二层（2）的第二部分和第一层 （1）邻接第二层（2）的第二部分。 然后，通过将第三层（3）转变成与第一导电类型相反的第二导电类型，在掩埋隔离区（15）上和第一半导体区（6）上形成基极区（7）。 此后，包括例如发射极区域的第一导电类型的第二半导体区域（8）形成在基极区域（7）的一部分上。 该方法提供了形成双极晶体管的方法，其具有通过有利地减小外部集电极到基极区域（6,7）电容的事实，该电容的值主要由掩埋隔离区域（15）确定，该隔离区域具有 显着低于集电极到基极区（6,7）结的介电常数。