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    Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinonderivaten
    9.
    发明公开
    Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinonderivaten 有权

    公开(公告)号：EP1596445A1

    公开(公告)日：2005-11-16

    申请号：EP05008447.4

    申请日：2004-02-03

    申请人： Novaled GmbH

    发明人： Kühl, Olaf, Dr. ,  Zeika, Olaf ,  Zheng, Youxuan ,  Hartmann, Horst ,  Pfeiffer, Martin, Dr.

    IPC分类号： H01L51/30 ,  H05B33/14 ,  H01L31/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/20

    CPC分类号： C09K11/06 ,  C09B69/102 ,  C09B69/105 ,  C09B69/109 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/001 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0079 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/5052 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

    摘要： Die Erfindung betrifft organische mesomere Verbindung als Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials zur Veränderung der elektrischen Eigenschaften desselben. Um mit Dotanden zu versehene organische Halbleiter im Produktionsprozess leichter handhaben zu können und elektronische Bauteilen mit dotierten organischen Halbleitern reproduzierbarer herstellen zu können, wird vorgeschlagen, als mesomere Verbindung ein Chinon oder Chinonderivat zu verwenden, das unter gleichen Verdampfungsbedingungen eine geringere Flüchtigkeit als Tetrafluorotetracyanochinodimethan (F4TCNQ) aufweist, wobei das molare Dotierungsverhältnis von Dotand zu Matrixmolekül bzw. monomeren Einheit eines polymeren Matrixmoleküls zwischen 1:5 und 1:1000 beträgt.

    摘要翻译： 使用有机介子化合物（I）作为有机掺杂剂掺杂有机半导体基质材料以改变电特性，其中（I）是醌或其衍生物和（I）在较小或相同的蒸发条件下， 表现出比四氟四氰基二氢化乙烷（F4TCNQ）的蒸发性，其中掺杂剂与基质分子的分子掺杂比为1:1.5:1000。 使用有机介子化合物（I）作为有机掺杂剂掺杂有机半导体基质材料以改变电特性，其中（I）是醌或其衍生物和（I）在较小或相同的蒸发条件下， 表现出比四氟四氰基二氢乙烷（F4TCNQ）的蒸发性，其中掺杂剂与聚合物基质分子的基质分子和/或单体单元的分子掺杂比为1:1.5:1000。 还包括独立权利要求：（1）包含有机基质分子和有机掺杂剂（I）的有机半导体材料; （2）制备有机半导体材料（包括有机基质分子和有机掺杂剂（I）），包括在加热和/或照射期间从其前体化合物中蒸发掺杂剂，释放掺杂剂; （3）具有有机半导体材料的电子构建元件，其具有用于改变半导体基质材料的电子特性的有机掺杂剂，其中使用（I）中的至少一种或多种进行掺杂; 和（4）掺杂剂和有机半导体基质材料的掺杂，其中掺杂剂是一组有机中间体醌或其衍生化合物（1-9），并且掺杂剂在相同的蒸发条件下表现出较小的蒸发性 （F4TCQ）。 在式（1）中：R 1 -R 4 Cl，CN或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，CF 3，全氟烷基，SO 3 3和/或卤素取代） 和A，B1：NC-CH 2-CN，NC-CF 3或N-Ctriple boundN。 在式（2）中：R 1 -R 8 = Cl，F，CN，全氟烷基或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，NO，全氟烷基，SO 3 3和/或卤素取代）。 在式（3）中：R 1 -R 6 Cl，F，CN，NO 2，NO，全氟烷基或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，全氟烷基，SO 3 3和/或卤素取代） 和A，B1：NC-CH 2-CN，NC-CF 3或N-Ctriple boundN。 在式（4）中：R 1 -R 8 Cl，F，前氟烷基，CN，NO 2，NO或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，全氟烷基，SO 3 3和/或卤素取代） 和A，B1：NC-CH 2-CN，NC-CF 3或N-Ctriple boundN。 在式（5-7）中：R 1 -R 6 = Cl，F，CN，NO 2，NO，全氟烷基或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，全氟烷基，SO 3 3和/或卤素取代）。 在式（8）中：R 1 -R 12 = Cl，F，CN，NO 2，NO，全氟烷基或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，全氟烷基，SO 3 3和/或卤素取代;其中R 1 ，R 3，R 9und R 12is H和R 2，R 4，R 8，R 10或R 11is Cl，F，CN，NO 2，NO，全氟烷基或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，全氟烷基 在式（9）中：R 1 -R 12 Cl，F，CN，NO 2，NO，全氟烷基或（杂）芳基（任选被CN，NO 2，全氟烷基，SO 3和 /或晕。[Image] [Image] [Image] [Image]。