公开(公告)号：EP1672714A2

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：EP06007372.3

申请日：2005-03-03

申请人： Novaled GmbH

发明人： Werner, Ansgar ,  Kühl, Olaf ,  Gessler, Simon ,  Harada, Kentaro ,  Hartmann, Horst ,  Grüssing, André ,  Limmert, Michael ,  Lux, Andrea

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0084 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1059 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/186 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5092 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Die Erfindung betrifft neue n-Dotanden und Verfahren zu ihrer Herstellung.

摘要翻译： 该方法包括使用金属络合物作为掺杂剂来掺杂有机半导体基质材料以改变电性能，由此金属络合物相对于基质材料表示n-掺杂物，或者使用金属络合物来生产具有 含有金属络合物的电子功能区。 金属络合物是中性富电子的金属络合物。 还包括以下独立权利要求：（A）半导体材料（B）有机半导体材料（C）制造有机半导体材料的方法（D）电子部件（E）掺杂剂（F） 金属络合物（G）和在制造掺杂剂的过程中使用配体。

公开(公告)号：EP2264806B1

公开(公告)日：2019-03-27

申请号：EP10183973.6

申请日：2005-04-13

申请人： Novaled GmbH

发明人： Hofmann, Michael ,  Birnstock, Jan ,  Blochwitz-Nimoth, Jan ,  Werner, Ansgar ,  Pfeiffer, Martin ,  Harada, Kentaro

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56