Pin-Photodiode
    2.
    发明公开
    Pin-Photodiode 审中-公开
    PIN光电二极管

    公开(公告)号:EP1583157A2

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:EP05005879.1

    申请日:2005-03-17

    发明人: Reill, Wolfgang

    IPC分类号: H01L31/105

    CPC分类号: H01L31/105

    摘要: Die Erfindung betrifft eine pin-Photodiode, mit einer photodetektierenden Schicht (3) aus einem Halbleitermaterial mit kleinerer Bandlücke, die einen p-dotierten Bereich aufweist und von einer Mantelschicht (4) aus einem Halbleitermaterial mit größerer Bandlücke bedeckt ist, wobei die Mantelschicht (4) über dem p-dotierten Bereich (7) der photodetektierenden Schicht (3) Ausnehmungen (5) aufweist.
    Die pin-Photodiode ist dabei vor allem geeignet Licht eines möglichst großen Wellenlängenbereichs mit einer möglichst hohen Signalempfindlichkeit zu detektieren.

    摘要翻译: 本发明涉及一种pin光电二极管,由具有其具有p掺杂区和包层小的带隙的半导体材料构成的光检测层(3)(4)由半导体材料制成的覆盖有较大的带隙,其中所述包层(4 )(在光检测层(3只包括)的p掺杂区7)具有凹部(5)。 PIN光电二极管是检测特别合适的光以尽可能高的信号灵敏度的最大可能的波长范围。

    Pin-Photodiode
    5.
    发明公开
    Pin-Photodiode 审中-公开
    品光电二极管

    公开(公告)号:EP1583157A3

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:EP05005879.1

    申请日:2005-03-17

    发明人: Reill, Wolfgang

    IPC分类号: H01L31/105

    CPC分类号: H01L31/105

    摘要: Die Erfindung betrifft eine pin-Photodiode, mit einer photodetektierenden Schicht (3) aus einem Halbleitermaterial mit kleinerer Bandlücke, die einen p-dotierten Bereich aufweist und von einer Mantelschicht (4) aus einem Halbleitermaterial mit größerer Bandlücke bedeckt ist, wobei die Mantelschicht (4) über dem p-dotierten Bereich (7) der photodetektierenden Schicht (3) Ausnehmungen (5) aufweist.
    Die pin-Photodiode ist dabei vor allem geeignet Licht eines möglichst großen Wellenlängenbereichs mit einer möglichst hohen Signalempfindlichkeit zu detektieren.

    摘要翻译: 针式光电二极管具有在半导体覆层(4)的较宽带隙下具有与p掺杂区域的小带隙的半导体检测器层(3)。 地幔(4)p掺杂区(7)在光电探测层(3)的上方具有一个制动器(5)。