摘要:
Die Erfindung betrifft eine pin-Photodiode, mit einer photodetektierenden Schicht (3) aus einem Halbleitermaterial mit kleinerer Bandlücke, die einen p-dotierten Bereich aufweist und von einer Mantelschicht (4) aus einem Halbleitermaterial mit größerer Bandlücke bedeckt ist, wobei die Mantelschicht (4) über dem p-dotierten Bereich (7) der photodetektierenden Schicht (3) Ausnehmungen (5) aufweist. Die pin-Photodiode ist dabei vor allem geeignet Licht eines möglichst großen Wellenlängenbereichs mit einer möglichst hohen Signalempfindlichkeit zu detektieren.
摘要:
Es wird ein optisch gepumpter, oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit einer modenselektiven Vorrichtung (7) angegeben, die zur Unterdrückung von vorgebbaren, höheren Resonatormoden des Halbleiterlasers vorgesehen ist. Dabei ist die modenselektive Vorrichtung im Strahlengang einer Pumpstrahlquelle (2) des oberflächenemittierenden Halbleiterlasers angeordnet. Ein solcher Halbleiterlaser eignet sich besonders gut für eine Verwendung in einem optischen Projektionsgerät.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine pin-Photodiode, mit einer photodetektierenden Schicht (3) aus einem Halbleitermaterial mit kleinerer Bandlücke, die einen p-dotierten Bereich aufweist und von einer Mantelschicht (4) aus einem Halbleitermaterial mit größerer Bandlücke bedeckt ist, wobei die Mantelschicht (4) über dem p-dotierten Bereich (7) der photodetektierenden Schicht (3) Ausnehmungen (5) aufweist. Die pin-Photodiode ist dabei vor allem geeignet Licht eines möglichst großen Wellenlängenbereichs mit einer möglichst hohen Signalempfindlichkeit zu detektieren.
摘要:
Halbleiterbauelement mit einem gekrümmten Spiegel und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem gekrümmten Halbleiterkörper. Es wird ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1) angegeben, wobei der Halbleiterkörper einen gekrümmten Spiegel (3) umfasst, der monolithisch im Halbleiterkörper integriert ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Krümmung eines Halbleiterkörpers angegeben.