公开(公告)号：EP4089488A3

公开(公告)日：2023-01-11

申请号：EP22164072.5

申请日：2022-03-24

申请人： Robert Bosch GmbH

发明人： Frey, Peter ,  Schmid, Marc ,  Fuchs, Tino ,  Riedrich-Moeller, Janine

IPC分类号： G04F5/14 ,  C03B11/14

摘要： Die vorliegende Erfindung schafft eine Dampfzelleneinrichtung (10) für eine Sensorvorrichtung (SV), umfassend einen Grundwafer (GF), welcher zumindest eine Ausnehmung (A) umfasst, in welcher eine Probesubstanz (PS) eingefasst ist; einen oberen Kappenwafer (OKW); und einen Boden (BD), welcher die Ausnehmung (A) von einer Unterseite (US) vollständig abdeckt, wobei der Grundwafer (GF) die Ausnehmung (A) lateral vollständig umläuft und in einer ersten lateralen Raumrichtung (R1) und in einer zweiten lateralen Raumrichtung (R2), welche zu der ersten lateralen Raumrichtung (R1) senkrecht verläuft, für eine erste Strahlung (ST1) und für eine zweite Strahlung (ST2) durchlässig ist, und der Boden (BD) und der obere Kappenwafer (OKW) in einer vertikalen Raumrichtung (R3), welche senkrecht zur ersten lateralen Raumrichtung (R1) und senkrecht zur zweiten lateralen Raumrichtung (R2) verläuft, für die erste Strahlung (ST1) und für die zweite Strahlung (ST2) durchlässig ist und für eine dritte Strahlung (ST3) durchlässig sein kann. [SM(1]

公开(公告)号：EP4089488A2

公开(公告)日：2022-11-16

申请号：EP22164072.5

申请日：2022-03-24

申请人： Robert Bosch GmbH

发明人： Frey, Peter ,  Schmid, Marc ,  Fuchs, Tino ,  Riedrich-Moeller, Janine

IPC分类号： G04F5/14

摘要： Die vorliegende Erfindung schafft eine Dampfzelleneinrichtung (10) für eine Sensorvorrichtung (SV), umfassend einen Grundwafer (GF), welcher zumindest eine Ausnehmung (A) umfasst, in welcher eine Probesubstanz (PS) eingefasst ist; einen oberen Kappenwafer (OKW); und einen Boden (BD), welcher die Ausnehmung (A) von einer Unterseite (US) vollständig abdeckt, wobei der Grundwafer (GF) die Ausnehmung (A) lateral vollständig umläuft und in einer ersten lateralen Raumrichtung (R1) und in einer zweiten lateralen Raumrichtung (R2), welche zu der ersten lateralen Raumrichtung (R1) senkrecht verläuft, für eine erste Strahlung (ST1) und für eine zweite Strahlung (ST2) durchlässig ist, und der Boden (BD) und der obere Kappenwafer (OKW) in einer vertikalen Raumrichtung (R3), welche senkrecht zur ersten lateralen Raumrichtung (R1) und senkrecht zur zweiten lateralen Raumrichtung (R2) verläuft, für die erste Strahlung (ST1) und für die zweite Strahlung (ST2) durchlässig ist und für eine dritte Strahlung (ST3) durchlässig sein kann. [SM(1]

公开(公告)号：EP3012220B1

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：EP15185827.1

申请日：2015-09-18

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： Frey, Peter ,  Schelling, Christoph ,  Borowsky, David

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C3/001

公开(公告)号：EP3012220A1

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：EP15185827.1

申请日：2015-09-18

申请人： ROBERT BOSCH GMBH

发明人： Frey, Peter ,  Schelling, Christoph ,  Borowsky, David

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C3/001

摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Verbinden zweier Substrate, eine entsprechende Anordnung zweier Substrate und ein entsprechendes Substrat. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines ersten Substrats (S1) mit einer ersten Vorderseite (V1) und einer ersten Rückseite (R1) und eines zweiten Substrats (S2) mit einer zweiten Vorderseite (V2) und einer zweiten Rückseite (R2); Aufbringen einer ersten Diffusionsbarriereschicht (D1) auf die erste Vorderseite (V1) und einer zweiten Diffusionsbarriereschicht (D2) auf die zweite Vorderseite (V2); Aufbringen eines ersten Bondbereichs mit mindestens einer ersten Bondmaterialschicht auf die erste Diffusionsbarriereschicht (D1) und eines zweiten Bondbereichs mit mindestens einer zweiten Bondmaterialschicht (B21, B22) auf die zweite Diffusionsbarriereschicht (D2); Aufbringen einer ersten Oxidationsschutzschicht (O1) mindestens auf den ersten Bondbereich; Aufheizen wenigstens des ersten Substrats (S1) im vom zweiten Substrat (S2) getrennten Zustand auf eine erste Temperatur, bei der die erste Oxidationsschutzschicht (O1) in den ersten Bondbereich zum Ausbilden eines modifizierten ersten Bondbereichs (B1') zumindest teilweise eindiffundiert; anschließendes Zusammenbringen des ersten Substrats (1a) und des zweiten Substrats (1 b), so dass sich der erste modifizierte erste Bondbereich (B1') und der zweite Bondbereich (B2) gegenüberliegen; und Aufheizen des ersten und zweiten Substrats (S1; S2) im zusammengebrachten Zustand auf eine zweite Temperatur, bei der wenigstens eine Komponente des ersten oder zweiten Bondbereichs aufschmilzt, und anschließendes Abkühlen zum Ausbilden eines festen Bondverbindungsbereichs zwischen dem ersten Substrat (S1) und dem zweiten Substrat (S2).

摘要翻译： 本发明提供键合二个衬底，两个衬底的一个适当的排列和合适的底物的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有第二前侧（V2）和第二后表面（R2）的第一前表面（V1）和第一背面（R1）和第二基板（S2）的第一基板（S1）; 施加第一扩散阻挡层（D1）到所述第一前表面（V1）和第二扩散阻挡层（D2）到所述第二前表面（V2）; 沉积第一粘合区域至少包括所述第一扩散阻挡层（D1）和第二接合区域与至少所述第二扩散阻挡层（D2）上的第二粘结材料层（B21，B22）上的第一接合材料层; 施加第一氧化保护层（01）至少与所述第一接合区; 加热至少该第一基板（S1）在上述第二基板（S2）分离状态到第一温度，其中，在第一接合区域中的第一抗氧化层（01）以形成一个修改的第一接合区域（B1“）至少部分地扩散; 然后使所述第一衬底（1a）和第二基板（1b）中，使得所述第一修改的第一接合区域（B1“）和所述第二接合区域（B2）对置; 以及加热所述第一和第二基板（S1; S2）在第二温度下在匹配状态在所述第一或第二接合区的至少一个部件的熔点，然后冷却，以形成所述第一基板（S1）和第二之间的固体接合区域 底物（S2）。