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1.

发明授权
Organometallic germanium compounds suitable for use in vapor deposition processes 有权
标题翻译：用于在气相沉积工艺使用合适的有机金属锗化合物

公开(公告)号：EP1990345B1

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：EP08163178.0

申请日：2004-04-01

申请人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： Shenai-Khatkhate, Deodatta Vinayak , Power, Michael Brendan

IPC分类号： C07F7/30 , C23C16/28

CPC分类号： C23C16/28 , C07C391/00 , C07C395/00 , C07F7/0807 , C07F7/0827 , C07F7/30 , C23C16/18

2.

发明公开
Organometallic germanium compounds suitable for use in vapor deposition processes 有权
标题翻译： Zur Verwendung in Dampfphasenabscheidungsprozessen geeignete，metallorganische Germanium-Verbindungen

公开(公告)号：EP1990345A1

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：EP08163178.0

申请日：2004-04-01

申请人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： Shenai-Khatkhate, Deodatta Vinayak , Power, Michael Brendan

IPC分类号： C07F7/30 , C23C16/28

CPC分类号： C23C16/28 , C07C391/00 , C07C395/00 , C07F7/0807 , C07F7/0827 , C07F7/30 , C23C16/18

摘要： Organometallic compounds suitable for use as vapor phase deposition precursors for Group IV metal-containing films are provided. Methods of depositing Group IV metal-containing films using certain organometallic precursors are also provided. Such Group IV metal-containing films are particularly useful in the manufacture of electronic devices.

摘要翻译： 提供了适合用作第IV族含金属膜的气相沉积前体的有机金属化合物。还提供了使用某些有机金属前体沉积第IV族含金属膜的方法。这种含IV族的含金属膜在电子器件的制造中特别有用。