Rissunanfällige, wärmeabsorbierende Verschmelzgläser mit niedrigen Verarbeitungstemperaturen zur hermetischen Kapselung elektronischer Bauteile
    1.
    发明公开
    Rissunanfällige, wärmeabsorbierende Verschmelzgläser mit niedrigen Verarbeitungstemperaturen zur hermetischen Kapselung elektronischer Bauteile 失效
    Rissunanfällige吸热Verschmelzgläser具有低的加工温度为电子部件的密封封装。

    公开(公告)号:EP0023312A1

    公开(公告)日:1981-02-04

    申请号:EP80104133.6

    申请日:1980-07-16

    申请人: Schott Glaswerke

    IPC分类号: C03C3/10 C03C3/30

    CPC分类号: C03C3/105 C03C8/24 Y10S428/90

    摘要: Es werden neidrig erweichende wärmeabsorbierende Verschmelzgläser zur hermetischen Kapselung elektrotechnischer Bauteile, insbesondere sowohl magnetisch als auch nicht magnetisch betätigter Leiterkontakte vorgeschlagen, welche folgende Zusammensetzungen aufweisen:

    welche dadurch ausgezeichnet sind, daß sie Wärmedehnungskoeffizienten im Temperaturbereich von 20 - 300°C von8,4 bis 12,2 x 10 -6 /°C mit maximaler Wärmeabsorption zwischen 1 und 1,5 µ aufweisen, daß ihre

    Erweichungstemperaturen (EW) zwischen 537 und 601 °C liegen, daß ihre
    Verarbeitungstemperaturen (V A ) zwischen 763 und 879°C liegen, daß sie
    beim Verschmelzprozeß weniger zur Verdampfung neigen, und daß ihre
    nach dem Verschmelzprozeß resultierenden Verschmelzspannungen zwischen metallischem Leiter und Glas sowohl bei einer schnellen Abkühlung an Luft als auch nach einer 5°C / min-Kühlung zu einer maximalen Zugspannung bei einer spezifischen Doppelbrechung von (2,7 + 0,1) x 10 -6 /mm 2 /N, entsprechend einem optischen Gangunterschied ≤ 400 nm/cm führen.

    摘要翻译: 有neidrig软化吸热Verschmelzgläser电工部件的密封封装,特别是两个磁建议不要磁致动导体接触,其具有以下组成:二氧化硅43.0 - 46.2%(重量)氧化铝1.0〜2.0%(重量)。 NA2 6.2〜16.0重量%的PbO 33.0 - 46.1%(重量)的Fe3O4 2.0 - 4.5重量%Sb2O3max .. 0.2%(重量),其是优良的,因为它们在系数器20的温度范围的热膨胀 - 。300℃8.4〜12.2×10 < - > <6> /℃和最大吸热量1-1, 5μ,在它们的软化温度(EW)是537-601℃,其加工温度(VA)是763-879℃,使得它们不易于蒸发Verschmelzprozeß期间,和它们的之间VerschmelzprozeßVerschmelzspannungen后所得 金属导体和玻璃都在空气中和5℃/ min的冷却到最大张力的(2.7 + 0.1)的特定双折射后快速冷却X 10 < - > <6> /毫米 / N =引线对应的光程差<400纳米/厘米。