摘要:
Der Näherungssensor, der auf die Annäherung oder Entfernung eines magnetisierbaren Gegenstandes anspricht, ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß er auf der Sensorseite (2) ein Substrat (3) mit wenigstens einem darauf aufgebrachten magnetfeldabhängigen Widerstand (4) aufweist und der bzw. die magnetfeldabhängigen Widerstände (4) im magnetischen Streufeld (H1) eines Permanentmagneten (5) liegen, dessen magnetische Pole (7, 8) dem bzw. den magnetfeldabhängigen Widerständen (4) derart seitlich benachbart sind, daß bei Annäherung eines magnetisierbaren Gegenstandes (6) die magnetischen Feldlinien (H2) im wesentlichen durch diesen verlaufen. Hierdurch erhält man einen einfachen und robusten Aufbau eines Näherungssensors.
摘要:
Bei einem Magnetfeldsensor mit wenigstens einem in einem zumindest einseitig offenen Gehäuse nahe einer Außenseite vorgesehenen magnetfeldabhängigen Widerstand und einem an diesem angrenzenden Permanentmagneten liegen der bzw. die auf einem Träger (4) angeordneten magnetfeldabhängigen Widerstände (6) von innen an einer Detektor-Seitenwand (2) des Gehäuses (1) an und die Wandstärke(x)dieser Detektor-Seitenwand (2) ist zumindest im Bereich der aktiven Fläche der magnetfeldabhängigen Widerstände (6) dünner ausgebildet als die Wandstärke der übrigen Gehäusewände (17, 18, 19) und/oder der Gehäuseboden (20). Hierdurch erhält man einen robusten und hoch auflösenden Magnetfeldsensor.
摘要:
Bei einem Impulsgenerator, der über eine drehbare Antriebsachse betätigbar ist und mit einem aus drei in einer Ebene hintereinander angeordneten Kontaktfedern bestehenden Kontaktfedersatz versehen ist, dessen mittlere Kontaktfeder am Federende mit einem über die Antriebsachse betätigbaren Stirnzahnrad zusammenwirken kann, das je nach seiner Drehrichtung die mittlere Kontaktfeder mit einer der äußeren Kontaktfedern in Kontakt bringen kann, ist erfindungsgemäß das Stirnzahnrad (13) mit der Antriebsachse (16) über ein Übersetzungsgetriebe (15, 14, 13) antreibbar.
摘要:
Bei einem waschdichten elektromagnetischen Relais mit einem Gehäuseteil, das eine nach außen erweiterte, dichtverschlossene Öffnung aufweist, durch die das Relais entgast und mit reaktionsträgem Gas gefüllt werden kann und die nach dem Entgasen und/oder Füllen des Relais verschlossen wird, ist erfindungsgemäß die Öffnung (12) im Boden (11) eines an einem Gehäuseteil (3) angeformten, mit einer zylindrischen oder nach außen sich trichterförmig erweiternden oder einer zunächst zylindrischen und anschließend sich nach außen trichterförmig erweiternden Bohrung (10) versehenen Zapfen (9) angebracht und in die Bohrung (10) ist eine Kugel (13) oder ein Stift (14) dicht eingedrückt. Hierdurch wird die Verunreinigung der inneren Atmosphäre des Relais durch die bekannte Dichtung mittels Kunstharz vermieden.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein elektromagnetisches Relais, bei dem das Magnetjoch (18) mittels seitlicher Ansätze (28,29) in Aussparungen (26, 27) der Seitenwände eines Gehäuseteils lagefixiert ist. Erfindungsgemäß sind, in Längsrichtung (25) gesehen, hintereinander zwei Aussparungen (28, 29) vorgesehen, in der je ein Auflagesteg (31, 32) vorgesehen ist. Die eine Aussparung (26) dient mit dem Auflagesteg (31) als Schwenkpunkt des Magnetsystems und die andere Aussparung (27) mit dem Auflagesteg (32) ist derart angeordnet, daß das Magentsystem in der Einbaulage so angeordnet ist, daß sich in Ruhelage des Ankers (19) die Kontakte (11, 12, 13, 14) in Betriebslage befinden. Durch Verformung der Aussparung (27) infolge Einbuchtung des Abdeckteils (5) und des Auflegesteges (32) wird das Magnetsystem nach unten gedrückt und dabei um den Auflagepunkt (33) geschwenkt. Beim Erreichen oder nach dem Erreichen des Umschaltpunktes der Kontakte (11,12,13,14) ist die Justierlage erreicht und die Verformung wird beendet. Hierdurch kann eine einfache Justierung des Magnetsystems (15) zum Kontaktsystem (8) erreicht werden.
摘要:
Um bei einem elektromagnetischen Relais, insbesondere einem Miniaturrelais, dieses waschdicht auszuführen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dieses von innen zu vergießen. Hierzu wird in wenigstens einer Seitenwand (2,3; 9, 10) wenigstens eine Aussparung (21) vorgesehen, durch die hindurch Vergußmasse nach innen eingebracht werden kann. Die Vergußmasse (22) verteilt sich gleichmäßig am Boden und Läuft in die Trennstellen (20) infolge Kapillarwirkung hinein. Ein Deckel (7) deckt nach dem Vergießen die Aussparungen (21) ab ünd zur Abdichtung der Trennflächen zwischen den Deckelwänden (24) und dem unteren Gehäuseteil (6) sind in letzterem öffnungen (23) vorgesehen, die von innen nach außen reichen, und durch die Vergußmasse nach außen fließen kann. Infolge Kapillarwirkung der Trennstelle (20) zwischen Gehäuseteil (8) und den Deckelwänden (24) wird auch Vergußmasse gleichmäßig an diesen Stellen verteilt. Man erhält ein waschdichtes Relais, das im aufrechten Zustand vergossen und weiterverarbeitet werden kann.
摘要:
Bei einem elektromagnetischen Relais mit Winkelanker und einem am Spulenflansch angeordneten U-förmigen Bügel mit in Richtung der Spulenachse verlaufenden Schenkeln und einem am Quersteg angeordneten Blattfederteil, der an der Winkelkante des Winkelankers unter Vorspannung aufliegt, besteht der U-förmige Bügel erfindungsgemäß aus einem zwischen die Schenkel (4, 5) eingespannten Quersteg (9) mit dem Blattfederteil (10). Der Quersteg (9) besteht aus federndem Material und besitzt an den Enden Stecklaschen (8), die in entsprechende Schlitze (7) in den Enden (6) der Schenkel (4, 5) lagefixierend eingreifen.
摘要:
Bei einer Verstärkerschaltung (1) mit Eingangsstufe (2), wengistens einer Zwischenstufe (3) und Endstufe (4) werden in der bzw. wenigstens einer Zwischenstufe (3) Transistoren (5, 6) in MOSFET-Technologie und in den übrigen Stufen (2, 4) Transistoren in Bipolar-Technologie verwendet. Es ist ein sehr hoher Verstärkungsgrad bei geringer Offsetspannung und geringem Rauschen erreichbar.
摘要:
Bei einem Verfahren zur Herstellung von Lichtwellenleitern (8) in Form von Streifenleitern auf einem Substrat (1) werden auf das Substrat (1) zwei transparente Schichten (3 und 6) übereinander aufgebracht und in Form der Lichtwellenleiter (8) strukturiert. Das Material der beiden Schichten (3 und 6) wird so gewählt, daß der Schmelzpunkt des Materials der zweiten Schicht (6) niedriger ist als derjenige des Materials der ersten Schicht (3), jedoch einen höheren Brechungsindex aufweist als die erste Schicht (3). Nach der Strukturierung wird ein Erhitzungsprozeß durchgeführt, bei dem das Material der zweiten Schicht (6) schmilzt und seine Oberfläche infolge der Oberflächenspannung im Querschnitt gesehen die Form eines Kreisbogens annimmt. Durch diese Querschnittsform ist nach dem Abschleifen oder Polieren der Stirnfläche (10) des Lichtwellenleiters (8) an einer Substratkante (11) eine gute Ein- bzw. Auskopplung von Lichtwellen in bzw. aus einer Lichtleitfaser möglich.