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    Verstärkerschaltung mit Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren
    1.
    发明公开
    Verstärkerschaltung mit Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren 失效
    Verstärkerschaltungmit Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren。

    公开(公告)号：EP0534134A1

    公开(公告)日：1993-03-31

    申请号：EP92114207.1

    申请日：1992-08-20

    申请人： Alcatel SEL Aktiengesellschaft ,  ALCATEL N.V.

    发明人： Schnabel, Jürgen

    IPC分类号： H03F3/50

    CPC分类号： H03F3/505

    摘要： Bei einer Verstärkerschaltung (1) mit Eingangsstufe (2), wengistens einer Zwischenstufe (3) und Endstufe (4) werden in der bzw. wenigstens einer Zwischenstufe (3) Transistoren (5, 6) in MOSFET-Technologie und in den übrigen Stufen (2, 4) Transistoren in Bipolar-Technologie verwendet. Es ist ein sehr hoher Verstärkungsgrad bei geringer Offsetspannung und geringem Rauschen erreichbar.

    摘要翻译： 在具有输入级（2）的放大器电路（1）中，至少一个中间级（3）和输出级（4），MOSFET工艺中的晶体管（5,6）用于或至少一个中间级 ）和双极技术中的晶体管用于其余阶段（2,4）。 可以实现非常高的增益，具有很小的偏移电压和低噪声。 ... ...

    Oszillator in CMOS-Technik
    3.
    发明公开
    Oszillator in CMOS-Technik 失效
    Oszillator在CMOS技术。

    公开(公告)号：EP0393398A1

    公开(公告)日：1990-10-24

    申请号：EP90105978.2

    申请日：1990-03-29

    申请人： Alcatel SEL Aktiengesellschaft ,  ALCATEL N.V.

    发明人： Schnabel, Jürgen

    IPC分类号： H03K3/354 ,  H03K3/023

    CPC分类号： H03K3/0231 ,  H03K3/354

    摘要： Aufgabe ist es, einen schnellen temperatur- und parameter-konstanten steuerbaren Oszillator in CMOS-Technik für niedrige bis sehr hohen Frequenzen, z.B. deutlich über 100 MHz, zu realisieren.
    Erfindungsgemäß weist der Oszillator einen zweistufigen Differenzverstärker (N5-N12) und zwei steuerbare Stromquellen (I1, I2) auf, die über einen frequenzbestimmenden Kondensator (C) verbunden sind. Die beiden Stromquellen (I1, I2) sind über einen ersten bzw. zweiten ohmschen Widerstand (R1, R2) mit den Eingängen (IN1, IN2) des Differenzverstärkers (N5-N12) verbunden, wobei durch den Spannungsabfall am ersten bzw. zweiten Widerstand (R1, R2) mittels einer ersten mit den Eingängen des Differenzverstärkers (N5-N12) verbunden Schalteinheit (N1,N2,P1-P4) und mittels einer zweiten mit den Ausgängen des Differenzverstärkers (N5-N12) verbundenen Schalteinheit (N3,N4) einerseits der Kondensator (C) über den ersten Widerstand (R1) bis zu einem ersten Kippzustand oder über den zweiten Widerstand (R2) bis zu einem zweiten Kippzustand aufgeladen bzw. entladen wird.

    摘要翻译： 目的是在CMOS技术中实现快速的温度和参数常数的可控振荡器，用于低到非常高的频率，例如大大高于100MHz。 根据本发明，振荡器具有通过频率确定电容器（C）连接的两级差分放大器（N5-N12）和两个可控电流源（I1，I2）。 两个电流源（I1，I2）经由第一和第二欧姆电阻（R1，R2）连接到差分放大器（N5-N12）的输入（IN1，IN2），其中在 一方面，电容器（C）经由第一电阻器（R1）向第一开关状态或第二电阻器（R2）充电或放电至第二开关状态，借助于第一开关单元（N1， N2，P1-P4）连接到差分放大器（N5-N12）的输入端，并借助于连接到差分放大器（N5-N12）的输出的第二开关单元（N3，N4） 分别跨越第一和第二电阻器（R1，R2）。 ... ...