公开(公告)号：EP0910122A4

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：EP97922188

申请日：1997-05-26

申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

发明人： YAMAMOTO KATSUKO ,  IGUCHI TAKAHISA ,  KUMAZAWA YOSHIAKI ,  TANAKA KATSUYUKI ,  SHIOMI HIROMU ,  TSUNO TAKASHI ,  FUJIMORI NAOJI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/68 ,  B23K3/02 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67138 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/20 ,  B23K2201/35 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/52 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24628 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/30

摘要： A conductive polycrystalline diamond film having a specific resistance of 1x10-4 to 1x103Φcm and a thickness 1-500 νm is formed on the surface of a substrate used for contact bonding, the opposite surface of the substrate, or two or more side faces of the substrate intersecting the surfaces by using a vapor phase synthesis method.

摘要翻译： 的至少1×10 <-4> OMEGA m和小于1×10 <3> OMEGA米，谁的膜厚度为至少0.1微米的范围内，不超过500 A-具有薄膜导电的多晶金刚石的电阻率 微米，是电影形成的由气相合成为压接，一个表面相对该表面或至少两个侧表面与上基片表面的论文采用相交的表面上。