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    Verfahren zum Sichern von in einem Datenspeicher abgelegten geheimen Codedaten und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
    22.
    发明公开
    Verfahren zum Sichern von in einem Datenspeicher abgelegten geheimen Codedaten und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens 失效
    一种用于备份存储在数据存储密码数据和电路用于执行该方法的数据的方法。

    公开(公告)号：EP0329966A1

    公开(公告)日：1989-08-30

    申请号：EP89101292.4

    申请日：1989-01-25

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Schrenk, Hartmut, Dr.

    IPC分类号： G07F7/10 ,  G06F1/00

    CPC分类号： G07F7/1008 ,  G07F7/1025

    摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Schaltungsanord­nung zum Sichern von in einem Code-Datenspeicher (1a) abgelegten Codedaten vor einer Analyse, bei der aus den Signalen an den Code-Datenspeicherausgängen auf den Code-Datenspeicherinhalt ge­schlossen werden kann. Erfindungsgemäß liegt an den Code-Daten­speicherausgängen eine von einer Sperrlogikschaltung (9) ge­steuerte Sperrschaltung (4), die die Code-Datenspeicherausgänge sperrt, sobald eingegebene Kontrolldaten nicht mit Codedaten übereinstimmen.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于固定存储在一个代码数据存储器（1a）的代码数据在分析之前，其中在码数据存储器输出的信号上的代码数据存储器的内容指示提供一种方法和电路。 。根据本发明，阻挡电路（4），通过一个阻塞逻辑电路（9）控制的代码数据存储器的输出，它的块，只要输入的控制数据不匹配的代码数据被提供。

    MOS-Inverterschaltung
    23.
    发明公开
    MOS-Inverterschaltung 失效
    MOS-Inverterschaltung。

    公开(公告)号：EP0135075A1

    公开(公告)日：1985-03-27

    申请号：EP84108931.1

    申请日：1984-07-27

    申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

    发明人： Schrenk, Hartmut, Dr.

    IPC分类号： H03K19/094

    CPC分类号： H03K19/09445 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/09443

    摘要： Besonders in Anwendungsfällen, in welchen ein MOS-Inverter mit einer Spannung betrieben wird, die über der üblicherweise eingesetzten Betriebsspannung liegt (z.B. 20 V bei E 2 PROMs), wird die Spannungsquelle durch einen Stromfluß durch den Last-MOS-FET (2) belastet, wenn der Steuer-MOS-FET (1) angesteuert ist. Erfindungsgemäß wird die Strombelastung dadurch minimiert, daß eine Parallelschaltung eines zweiten Last-MOS-FET (4) und eines als Diode geschalteten MOS-FET (3) in Reihe zum ersten Last-MOS-FET (2) geschaltet wird, wobei der zweite Last-MOS-FET (4) mit der höheren und der als Diode geschaltete MOS-FET (3) mit einer niedrigeren Betriebsspannung beaufschlagt ist.

    摘要翻译： 特别是在应用中，其中MOS倒相器在一个电压，该电压比常用的操作电压高操作（例如20 V在E²PROMs），通过通MOS-FET（2）被加载，如果负载的电流流动的电压源 被致动时控制MOS-FET（1）。 根据本发明，电流负载由以下事实最小化该第二负载MOS-FET（4）和二极管连接的MOS-FET（3）串联连接到第一负载MOS-FET（2），其中，所述第二负载的并联电路 MOS-FET（4）由较高和二极管连接的MOS-FET，它具有更低的工作电压（3）采取行动。