公开(公告)号：EP0843348B1

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：EP97119833.8

申请日：1997-11-12

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Li-Qun, Xia ,  Srinivas, Nemani ,  Ellie, Yieh

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/225 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625

公开(公告)号：EP0843348A3

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：EP97119833.8

申请日：1997-11-12

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Li-Qun, Xia ,  Srinivas, Nemani ,  Ellie, Yieh

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/225 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625

摘要： The present invention provides systems, methods and apparatus for high temperature (at least about 500-800°C) processing of semiconductor wafers. The systems, methods and apparatus of the present invention allow multiple process steps to be performed in situ in the same chamber to reduce total processing time and to ensure high quality processing for high aspect ratio devices. Performing multiple process steps in the same chamber also increases the control of the process parameters and reduces device damage. In particular, the present invention can provide high temperature deposition, heating and efficient cleaning for forming dielectric films having thickness uniformity, good gap fill capability, high density, low moisture, and other desired characteristics.

摘要翻译： 本发明提供用于半导体晶片的高温（至少约500-800℃）处理的系统，方法和设备。 本发明的系统，方法和装置允许在同一室内原位执行多个处理步骤，以减少总处理时间并确保用于高纵横比装置的高质量处理。 在同一个腔室内执行多个工艺步骤还可以增加对工艺参数的控制并减少设备损坏。 特别地，本发明可以提供用于形成具有厚度均匀性，良好的间隙填充能力，高密度，低湿度和其他期望特性的介电膜的高温沉积，加热和高效清洁。

公开(公告)号：EP0843348A2

公开(公告)日：1998-05-20

申请号：EP97119833.8

申请日：1997-11-12

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： Li-Qun, Xia ,  Srinivas, Nemani ,  Ellie, Yieh

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/225 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625

摘要： The present invention provides systems, methods and apparatus for high temperature (at least about 500-800°C) processing of semiconductor wafers. The systems, methods and apparatus of the present invention allow multiple process steps to be performed in situ in the same chamber to reduce total processing time and to ensure high quality processing for high aspect ratio devices. Performing multiple process steps in the same chamber also increases the control of the process parameters and reduces device damage. In particular, the present invention can provide high temperature deposition, heating and efficient cleaning for forming dielectric films having thickness uniformity, good gap fill capability, high density, low moisture, and other desired characteristics.

摘要翻译： 本发明提供用于半导体晶片的高温（至少约500-800℃）处理的系统，方法和装置。 本发明的系统，方法和装置允许多个工艺步骤在相同的腔室中原位进行，以减少总处理时间并确保对高纵横比装置的高质量处理。 在同一个腔室内执行多个工艺步骤也可以增加工艺参数的控制，并减少设备损坏。 特别地，本发明可以提供用于形成具有厚度均匀性，良好间隙填充能力，高密度，低湿度和其它所需特性的介电膜的高温沉积，加热和有效清洁。