利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

5 条记录 (耗时 0.01 秒)

    Semiconductor optical devices
    4.
    发明公开
    Semiconductor optical devices 审中-公开
    Optische Halbleitervorrichtungen

    公开(公告)号：EP1154531A3

    公开(公告)日：2002-01-30

    申请号：EP01302875.8

    申请日：2001-03-28

    申请人： Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation

    发明人： Alam, Muhammad Ashraful ,  Eng, julie ,  Hybertsen, Mark S. ,  Johnson, John Evan ,  Ketelsen, Leonard Jan-Peter ,  People, Roosevelt ,  Romero, Dennis Mark

    IPC分类号： H01S5/026 ,  G02B6/42

    CPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/2077 ,  H01S2301/18

    摘要： The invention is a semiconductor optical device and a method of manufacture. The device (10) includes a first waveguide (15) having an edge (31), and a second waveguide (12) adjacent to at least a portion of the first waveguide including the edge so that light is coupled from the first to the second waveguide. The second waveguide has a modal index which is essentially constant at least at the edge of the first waveguide. The method includes forming at least the second waveguide by Selective Area Growth (SAG) using oxide pads (61, 62) of a particular geometry to achieve the essentially constant modal index. In one embodiment, the device is an expanded beam laser with an expander portion (10b) which is less than 300 microns.

    摘要翻译： 本发明是一种半导体光学器件及其制造方法。 装置（10）包括具有边缘（31）的第一波导（15）和与包括边缘的第一波导的至少一部分相邻的第二波导（12），使得光从第一到第二 波导。 第二波导具有至少在第一波导的边缘处基本上恒定的模态指数。 该方法包括使用特定几何形状的氧化物垫（61,62）通过选择区域生长（SAG）形成至少第二波导，以实现基本恒定的模态指数。 在一个实施例中，该装置是具有小于300微米的膨胀器部分（10b）的扩展束激光器。

    Dopant diffusion blocking for optoelectronic devices using InAlAs or InGaAlAs
    5.
    发明公开
    Dopant diffusion blocking for optoelectronic devices using InAlAs or InGaAlAs 审中-公开
    DotGaungsdiffusionssperrschichtfüroptoelektronische Vorichtungen unter Verwendung von InAlAs oder InGaAlAs

    公开(公告)号：EP1139526A2

    公开(公告)日：2001-10-04

    申请号：EP01303131.5

    申请日：2001-04-02

    申请人： Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation

    发明人： G Chu,Sung-nee ,  Hybertsen, Mark S. ,  Ougassaden, Abdallah ,  Akulova, Yuliya A. ,  Geva, Michael ,  Lentz, Charles W.

    IPC分类号： H01S5/227 ,  H01L33/00 ,  G02F1/025

    CPC分类号： H01S5/227 ,  G02F1/025 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2213 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/50

    摘要： A method for decreasing the diffusion of dopant atoms in the active region, as well as the interdiffusion of different types of dopant atoms among adjacent doped regions, of optoelectronic devices is disclosed. The method of the present invention employs a plurality of InAlAs and/or InGaAlAs layers to avoid the direct contact between the dopant atoms and the active region, and between the dopant atoms in adjacent blocking structures of optoelectronic devices. A semi-insulating buried ridge structure, as well as a ridge structure, in which the interdiffusion of different types of dopant atoms is suppressed are also disclosed.

    摘要翻译： 公开了一种用于减少有源区中的掺杂剂原子的扩散以及相邻掺杂区中不同类型的掺杂剂原子在光电器件中的相互扩散的方法。 本发明的方法采用多个InAlAs和/或InGaAlAs层以避免掺杂剂原子与有源区之间以及光电器件的相邻阻挡结构中的掺杂原子之间的直接接触。 还公开了抑制不同类型的掺杂剂原子的相互扩散的半绝缘掩埋隆起结构以及脊结构。