公开(公告)号：EP3171511B1

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：EP16199189.8

申请日：2016-11-16

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： MAI, Thi Thanh Yen ,  CHAINTREUIL, Nicolas ,  DESMOULIERE, Jean-Baptiste

IPC分类号： H02S50/00

CPC分类号： H02S50/10 ,  H02S50/00

公开(公告)号：EP3171511A1

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：EP16199189.8

申请日：2016-11-16

申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： MAI, Thi Thanh Yen ,  CHAINTREUIL, Nicolas ,  DESMOULIERE, Jean-Baptiste

IPC分类号： H02S50/00

CPC分类号： H02S50/10 ,  H02S50/00

摘要： Le procédé comprend les étapes de connecter un transistor de type MOSFET à l'installation photovoltaïque ; appliquer au transistor un signal d'une tension de commande (Vgs) qui parcourt une plage de régime linéaire (ϕ lin ) du transistor, comprise entre deux tensions critiques comprenant une tension de saturation (Vgs(sat)) et une tension seuil (Vgs(th)), et mesurer le courant et la tension de l'installation photovoltaïque durant le parcours de ladite plage correspondant au régime linéaire du transistor. Le signal de tension de commande (Vgs) du transistor est généré à partir d'un signal de commande numérique. Le transistor étant initialement en régime de court-circuit (ϕ cc ) ou de circuit ouvert (ϕ co ), on commande une première variation rapide (BT1) de la tension de commande (Vgs) vers ladite plage de régime linéaire du transistor puis une deuxième variation lente (BT2) de la tension de commande (Vgs) parcourant ladite plage de régime linéaire du transistor, la transition entre la première et la deuxième variation étant discontinue.

摘要翻译： 该方法包括将MOSFET晶体管连接到光伏电站的步骤; 施加到晶体管的控制极电压（Vgs）穿过所述晶体管的线速度范围（φlin）的信号，其包括一个饱和电压（VGS（饱和））和阈值电压的两个关键电压之间（VGS（ ），并且在对应于晶体管的线速度的所述范围的过程中测量光伏设备的电流和电压。 晶体管的控制电压信号（Vgs）由数字控制信号产生。 晶体管最初处于短路（φcc）或开路（φco）模式，控制电压（Vgs）的第一快速变化（BT1）被控制到晶体管的所述线性范围，然后第二变化 流经所述晶体管的所述线性范围的控制电压（Vgs）的慢（BT2），第一和第二变化之间的过渡是不连续的。