公开(公告)号：EP0115715B1

公开(公告)日：1986-11-12

申请号：EP83402265.9

申请日：1983-11-23

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE Etablissement de Caractère Scientifique Technique et Industriel

发明人： Fillot, Alain ,  Gallet, Jean ,  Paltrier, Sylvain ,  Schaub, Bernard

IPC分类号： C30B13/02 ,  C30B29/48

CPC分类号： C30B13/02 ,  C30B13/00 ,  C30B29/48 ,  Y10S117/907

公开(公告)号：EP0115715A1

公开(公告)日：1984-08-15

申请号：EP83402265.9

申请日：1983-11-23

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE Etablissement de Caractère Scientifique Technique et Industriel

发明人： Fillot, Alain ,  Gallet, Jean ,  Paltrier, Sylvain ,  Schaub, Bernard

IPC分类号： C30B13/02 ,  C30B29/48

CPC分类号： C30B13/02 ,  C30B13/00 ,  C30B29/48 ,  Y10S117/907

摘要： Procédé d'élaboration de composés semi-conducteurs ternaires ou quaternaires notamment de formules CdHgTe ou CdHgTeSe.
Il comprend les étapes suivantes:

- on réalise un mélange homogène, de composition précise et correspondant au composé à obtenir, de poudres de CdTe et HgTe dans le cas du composé ternaire CdHgTe et de poudres de CdTeSe et HgTe ou CdTe et HgTeSe dans le cas de composé quaternaire CdHgTeSe;
- on effectue un compactage du mélange par application d'une pression;
- on fait subir au mélange ainsi compacté un traitement thermique d'interdiffusion;
- on effectue enfin la recristallisation du composé sous forme monocristalline à l'aide d'un passage unique dans la zone de solvant.