摘要:
Die Erfindung betrifft ein Inspektionssystem für die Untersuchung von Objekten, insbesondere Masken für die Mikrolithographie mit Wellenlängen - einem Beleuchtungssystem zur Ausleuchtung eines Feldes in einer Objektebene (1), wobei - in der Objektebene innerhalb des ausgeleuchteten Feldes das zu untersuchende Objekt angeordnet ist; - einem Abbildungssystem für Wellenlängen ≤ 100 nm zur vergrößernden Abbildung wenigstens eines Ausschnittes des Objektes in eine Bildebene (3); - einem in der Bildebene (3) angeordneten Bildaufnahmesystem.