公开(公告)号：EP2369618A1

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：EP11354010.8

申请日：2011-03-24

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  STMicroelectronics "Crolles 2" S.A.S.

发明人： Thomas, Olivier ,  Fenouillet-Béranger, Claire ,  Coronel, Philippe ,  Denorme, Stéphane

IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  H01L27/02

CPC分类号： G11C11/412 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1203

摘要： La cellule mémoire est de type SRAM à quatre transistors munis d'une contre-électrode. Elle comporte une première zone en matériau semi-conducteur (5a) avec un premier transistor d'accès (1a) et un premier transistor de conduction (2a) connectés en série, leur borne commune définissant un premier noeud électrique (F). Un second transistor d'accès (1b) et un second transistor de conduction (2b) sont connectés en série sur une seconde zone en matériau semi-conducteur (5b) et leur borne commune définit un second noeud électrique (S). Le substrat de support comprend des première et seconde contre-électrodes. Les première et seconde contre-électrodes sont respectivement en vis-à-vis des première et seconde zones en matériau semi-conducteur (5). Le premier transistor d'accès (1a) et le second transistor de conduction (2b) sont d'un premier coté d'un plan (FS) passant par les premier (F) et second (S) noeuds électriques alors que le premier transistor de conduction (2a) et le second transistor d'accès (1 b) sont de l'autre coté plan (FS).

摘要翻译： 电池的半导体材料区域（5a，5b）分别设有存取P型金属氧化物半导体晶体管（1a，1b）和P型金属氧化物半导体驱动晶体管（2a，2b）。 一个存取晶体管和一个驱动晶体管位于穿过电节点（F，S）的平面的一侧。 另一个存取晶体管和另一个驱动晶体管位于平面的另一侧。 支撑基板具有对置电极，其中对置电极和栅电极（7a，7b）的连接被布置在平面的两侧。