Détecteur de gaz photoacoustique
    1.
    发明公开
    Détecteur de gaz photoacoustique 审中-公开
    Photoakustischer Gasdetektor

    公开(公告)号:EP2315019A1

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:EP10188403.9

    申请日:2010-10-21

    IPC分类号: G01N29/24 G01N21/17

    摘要: L'invention concerne un dispositif de détection photoacoustique comprenant un circuit nanophotonique incluant une pluralité de lasers (7) à semiconducteur susceptibles d'émettre à des fréquences distinctes ; des coupleurs d'entrée (9) reliés à des guides d'onde optiques ; un multiplexeur (13) ; un guide d'onde optique de sortie (15) débouchant dans un évidement ; un diapason (18) dont les bras libres sont disposés au niveau de la sortie du guide d'onde optique de sortie ; des moyens de détection de la vibration du diapason, tous ces éléments étant assemblés en un composant monolithique.

    摘要翻译: 光声检测装置包括包括量子级联半导体激光器(7)的纳米光子电路,与光波导相连接的馈电耦合器,多路复用器,其中一端设置有在腔中打开的聚焦单元的输出光波导, 该自由臂布置在聚焦单元的出口处,以及用于检测音叉的振动的电子单元。 包括激光组件的结构形成在组装在纳米光子电路的中空延伸支撑件上的芯片中。 光声检测装置包括包括量子级联半导体激光器(7)的纳米光子电路,与光波导相连接的馈电耦合器,多路复用器,其中一端设置有在腔中打开的聚焦单元的输出光波导, 该自由臂布置在聚焦单元的出口处,以及用于检测音叉的振动的电子单元。 包括激光组件的结构形成在组装在纳米光子电路的中空延伸支撑件上的芯片中,或直接组装在纳米光子电路支架上的多层中。 光波导芯和音叉臂的芯由单一材料层形成。 材料层在波导级放置在半导体结构的绝缘体上,并且涂覆有与绝缘体上的半导体结构的上层相同性质的覆层,并且叉的臂悬挂在 一个休息 绝缘体上的半导体结构的半导体层的上表面涂覆有硅层或氮化硅层。 包覆层由氮化硅层构成。 检测单元测量由音叉材料产生的压电效应产生的电压,并且包括耦合到叉的臂的电极。