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    DISPOSITIF DE FILTRAGE OPTIQUE
    1.
    发明公开
    DISPOSITIF DE FILTRAGE OPTIQUE 审中-公开

    公开(公告)号：EP3968064A1

    公开(公告)日：2022-03-16

    申请号：EP21191574.9

    申请日：2021-08-16

    申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

    发明人： LE PERCHEC, Jérôme

    IPC分类号： G02B5/18 ,  G02B5/20

    摘要： Dispositif présentant une réponse en transmission avec un maximum à une longueur d'onde λ 0 , ce dispositif comportant une couche intermédiaire (8) qui s'étend depuis un premier filtre optique (4) jusqu'à un second filtre optique (6), cette couche intermédiaire présentant un indice de réfraction n 8 à la longueur d'onde λ 0 et une épaisseur h 8 , l'indice de réfraction n 8 étant inférieur à 3n 12 /5 et l'épaisseur h 8 étant comprise entre δ et 3δ, où :
    - l'indice de réfraction n 12 est supérieur à 5n 10 /3, où n 10 est le plus grand des indices de réfractions choisi dans le groupe constitué des indices de réfraction à la longueur d'onde λ 0 des milieux situés à l'interface avec le premier filtre, et
    - le coefficient δ est défini par la relation suivante : 1/δ = (2πn 8 /λ 0 )((λ 0 /(n 8 P)) 2 -1) 0,5 , où P est la période d'un réseau de fentes du premier filtre.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
    2.
    发明公开
    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 审中-公开
    程序的制造D'UNE CELLULEPHOTOVOLTAÏQUE

    公开(公告)号：EP3213352A1

    公开(公告)日：2017-09-06

    申请号：EP15784720.3

    申请日：2015-10-26

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： LANTERNE, Adeline ,  GALL, Samuel ,  LE PERCHEC, Jérôme ,  PIROT, Marc

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： The invention relates to a method for manufacturing a photovoltaic cell which includes, in series: from a semi-conductive substrate (1) made of crystalline silicon doped according to a first type of doping, and including a first surface (10) and a second surface (11) opposite said first surface (10), texturising (20) the surface of at least the first surface (10) of the substrate (1); forming, on the first texturised surface (10), a first semi-conductive zone (12) doped according to a second type of doping by implantation (21) of first doping elements made up of boron atoms in at least one portion of the substrate (1) and by activation (23) of said first doping elements via laser irradiation (4) of said first surface (10); thermal annealing (22) of the texturised substrate (1) prior to the laser irradiation of the first surface (10), said prior thermal annealing (22) being carried out at a temperature of 600ºC to 950°C, for a time longer than one minute.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造光伏电池的方法，该光伏电池的方法包括以下步骤：从由根据第一类掺杂掺杂的晶体硅制成的半导体衬底（1），并包括第一表面（10）和第二表面 与所述第一表面（10）相对的表面（11），纹理化（20）所述衬底（1）的至少所述第一表面（10）的表面; 在所述第一纹理化表面（10）上形成根据第二类型掺杂的第一半导体区（12），所述第一半导体区通过在所述衬底的至少一部分中注入由硼原子构成的第一掺杂元素（21） （1）并通过所述第一表面（10）的激光照射（4）激活（23）所述第一掺杂元素; 在激光照射第一表面（10）之前对纹理化基底（1）进行热退火（22），所述在先热退火（22）在600℃至950℃的温度下进行比 等一下。

    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLURALITE DE DIODES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE LECTURE
    4.
    发明公开
    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLURALITE DE DIODES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE LECTURE 审中-公开

    公开(公告)号：EP3671843A1

    公开(公告)日：2020-06-24

    申请号：EP19217669.1

    申请日：2019-12-18

    申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

    发明人： LE PERCHEC, Jérôme ,  CERVERA, Cyril ,  PERNEL, Carole

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/38

    摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1) comportant une pluralité de diodes (40), comportant les étapes suivantes :
    ∘ fourniture d'un substrat de lecture (10) contenant un circuit de lecture (12), et présentant une face de croissance définie par une pluralité de portions conductrices (20), distinctes les uns des autres, et connectées au circuit de lecture (12) ;
    ∘ réalisation, sur la face de croissance, d'une pluralité de portions de nucléation (30) en un matériau cristallin bidimensionnel, distinctes les unes des autres, et reposant au contact des portions conductrices (20) ;
    ∘ réalisation, par épitaxie à partir des portions de nucléation (30), de la pluralité de diodes.

    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À DOPAGE SÉLECTIF
    5.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À DOPAGE SÉLECTIF 有权
    VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER FOTOVOLTAISCHEN ZELLE MIT SELEKTIVER DOTIERUNG

    公开(公告)号：EP3114713A1

    公开(公告)日：2017-01-11

    申请号：EP15713979.1

    申请日：2015-03-05

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： LE PERCHEC, Jérôme ,  MONNA, Rémi

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/1864 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： The invention relates to a method for creating a photovoltaic cell with selective doping, which comprises the following steps: providing a semiconductor substrate doped with a first conductivity type; forming a first doped region in the substrate, the first region having a first concentration of doping elements; forming, by ion implantation of doping elements in the substrate, at least one set of alignment units, the largest size of which is smaller than one millimeter, and a second region, adjacent to the first region and having a second doping element concentration which is higher than the first concentration; heat-treating the substrate such as to activate the doping elements and to form an oxide layer at the surface of the substrate over the alignment units, the first region and the second region, the second concentration and the heat treatment conditions being selected such that the oxide layer has a thickness above the alignment units that is larger, by at least 10 nm, than the thickness of the oxide layer above an area of the substrate adjacent to the alignment units; depositing an antireflection layer onto the oxide layer; and depositing an electrode onto the antireflection coating, through a screen, opposite the second region. The screen is positioned relative to the substrate by means of the alignment units.

    摘要翻译： 一种用于产生光伏电池的方法，包括在具有第一掺杂元素浓度的半导体衬底中形成第一掺杂区; 通过离子注入形成最大尺寸小于1毫米的对准单元和与具有第二掺杂元素浓度的第一区相邻的第二掺杂区; 对衬底进行热处理以激活掺杂元素并在衬底的表面形成氧化物层，选择第二浓度和热处理条件使得氧化物层具有高于对准单元的厚度，其厚度大于 比与对准单元相邻的衬底的面积之上的氧化物层的厚度至少10nm; 在氧化物层上沉积抗反射层; 以及通过与第二区域相对的屏幕将电极沉积到抗反射涂层上。

    PHOTODETECTEUR COMPRENANT UNE REGION SEMICONDUCTRICE TRES MINCE
    8.
    发明公开
    PHOTODETECTEUR COMPRENANT UNE REGION SEMICONDUCTRICE TRES MINCE 有权
    非常薄的半导电区光电检测器

    公开(公告)号：EP2368273A1

    公开(公告)日：2011-09-28

    申请号：EP09803862.3

    申请日：2009-12-14

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： LE PERCHEC, Jérôme ,  DESIERES, Yohan

    IPC分类号： H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/022408

    摘要： The invention relates to a photodetector that includes at least one portion of a semiconducting layer (33) formed directly on at least a portion of a reflective layer (31) and to be illuminated with a light beam (35), at least one pad (37) being formed on the portion of the semiconducting layer opposite the reflective layer portion, wherein the pad and the reflective layer portion are made of a metal or of a negative permittivity material, the optical cavity formed between said at least one reflective layer portion and said at least one pad has a thickness strictly lower than a quarter of the ratio of the light beam wavelength to the optical index of the semiconducting layer, and typically representing about one tenth of said ratio.

    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
    10.
    发明公开
    PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 审中-公开

    公开(公告)号：EP3289617A1

    公开(公告)日：2018-03-07

    申请号：EP16729006.3

    申请日：2016-04-27

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： LE PERCHEC, Jérôme ,  CABAL, Raphaël

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

    CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： This process includes the step of a) providing a semiconductor substrate (1) having a first surface (10) and an opposite second surface (11), the substrate (1) including a first semiconductor zone (100) containing boron atoms, the first semiconductor zone (100) being intended to make contact with an electrode (E), the process being noteworthy in that it includes the steps of b) forming a dielectric layer (2) on the second surface (11) of the substrate (1), the dielectric layer (2) including phosphorus or arsenic atoms, and c) applying a thermal anneal suitable for diffusing the phosphorus or arsenic atoms from the dielectric layer (2) as far as the second surface (11) of the substrate (1) so as to form a second semiconductor zone (110) intended to make contact with an electrode (E), and to form a thermal oxide layer (3) on the first surface (10) of the substrate (1).