公开(公告)号：EP3442027A1

公开(公告)日：2019-02-13

申请号：EP18187257.3

申请日：2018-08-03

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ,  International Business Machines Corporation

发明人： COQUAND, Rémi ,  LOUBET, Nicolas ,  REBOH, Shay ,  CHAO, Robin

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： Réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une structure semi-conductrice dotée de barreaux semi-conducteurs disposés les uns au-dessus des autres, le procédé comprenant les étapes de :
- réalisation sur un support, d'une structure empilée comportant une alternance de premiers barreaux (14-1, 14-3, 14-5, 14-7) à base d'un premier matériau et ayant une première dimension critique, et de deuxièmes barreaux (14-2, 14-4, 14-6) à base d'un deuxième matériau, le deuxième matériau étant semi-conducteur, les deuxièmes barreaux ayant une deuxième dimension critique supérieure à la première dimension critique, puis,
- dopage en surface de portions latérales (15) saillantes des deuxièmes barreaux, dépôt d'une couche de matériau diélectrique (21) sur l'empilement, puis la gravure de la couche de matériau diélectrique exposant les portions latérales dopées des deuxièmes barreaux, avant formation de bloc de source (28) et de drain (26) sur ces portions.