公开(公告)号：EP2412031A2

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：EP10711506.5

申请日：2010-03-23

申请人： Dow Global Technologies LLC

发明人： DEGROOT, Marty, W. ,  FEIST, Rebekah, K. ,  BERNIUS, Mark, T. ,  BANHOLZER, William, F. ,  YEUNG, Chung-Hei ,  SREERAM, Attiganal, N. ,  HALEY, Robert, P., Jr.

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/032

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： Chalcogenide based photovoltaic devices cells with good resistance to environmental elements can be formed by direct low temperature deposition of inorganic barrier layers onto the film. A unique multilayer barrier can be formed in a single step when reactive sputtering of the silicon nitride onto an inorganic oxide top layer of the PV device.

摘要翻译： 基于硫族化合物光伏器件与环境元素良好的抗细胞可以通过无机势垒层的直接低温沉积到膜形成。 独特的多层屏障可以在单个步骤中形成当到光伏器件的无机氧化物顶层的氮化硅的反应性溅射。