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1.发明授权Procédé de fabrication sur un support isolant d'un film de silicium monocristallin orienté et à défauts localisés 失效在绝缘体衬底上生产面向具有局部化故障的单晶硅水晶膜的工艺
公开(公告)号：EP0202977B1
公开(公告)日：1989-07-12
申请号：EP86400800.8
申请日：1986-04-15
申请人： ETAT FRANCAIS représenté par le Ministre des PTT (Centre National d'Etudes des Télécommunications)
CPC分类号： C30B13/34
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2.发明公开Procédé de fabrication sur un support isolant d'un film de silicium monocristallin orienté et à défauts localisés 失效一种用于生产具有局部缺陷的取向单晶硅膜的绝缘性基板上的过程。
公开(公告)号：EP0202977A1
公开(公告)日：1986-11-26
申请号：EP86400800.8
申请日：1986-04-15
申请人： ETAT FRANCAIS représenté par le Ministre des PTT (Centre National d'Etudes des Télécommunications)
CPC分类号： C30B13/34
摘要： Ce procédé consiste à recouvrir un substrat en silicium monocristallin (2) d'orientation (100) d'une couche de SiO 2 (4), réaliser dans la couche de SiO 2 , une configuration comportant sous forme de band"s isolantes parallèles orientées (100), une alternance de parties en surplomb (8) et de parties en creux - (10), réaliser une gravure de la couche de SiO 2 afin de former localement aux extrémités de ladite couche au moins une ouverture (14), cette gravure étant réalisée jusqu'à mise à nu du substrat, déposer sur la couche de SiO 2 gravée un film de silicium (16), recouvrir le film de silicium d'une couche encapsu- liante (20), réaliser un traitement thermique de la structure obtenue afin de recristalliser le film de silicium sous forme monocristalline de même orientation que le substrat, et élimi ner la couche encap- sulante.
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