Indium-Target für Sputtereinrichtungen sowie Anordnung und Verfahren zur Herstellung solcher Indium-Targets
    2.
    发明公开
    Indium-Target für Sputtereinrichtungen sowie Anordnung und Verfahren zur Herstellung solcher Indium-Targets 有权
    Indium-TargetfürSputtereinrichtungen sowie Anordnung und Verfahren zur Herstellung solcher Indium-Target

    公开(公告)号:EP2228464A1

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:EP10155360.0

    申请日:2010-03-03

    IPC分类号: C23C14/34 B23D23/00

    CPC分类号: C23C14/3414

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Indium-Target für Sputtereinrichtungen, enthaltend einen mit einem Kühlkreislauf verbindbaren Kühlkörper mit mindestens einer Vertiefung, die mit Indium verfüllt ist, wobei sich das Indium auf einer Seite des Kühlkörpers über dessen gesamte Breite und Länge erstreckt. Durch die Erfindung soll sowohl während des Gießvorganges, als auch beim Einsatz in Sputtereinrichtungen eine besonders gute Kühlleistung gewährleistet werden. Erreicht wird das dadurch, dass der Kühlkörper (2) flach ausgebildet ist und unterhalb der sich im Gebrauch der Indium-Targets (1) ausbildenden Sputtergräben (3, 4) unter jedem derselben mit einer zu diesem im wesentlichen formkongruenten in die Tiefe gehenden Aussparung (5, 6) versehen ist und wobei die Kühleinrichtung in Form von mit dem Kühlkörper (2) verbundenen Kühlkanälen (8) ausgebildet ist, wobei die Kühlkanäle (8) auf der Unterseite des Kühlkörpers (8) angeordnet sind.

    摘要翻译: 铟靶包括具有与冷却剂回路连接的凹部(5,6)的平坦冷却体(2),其中凹部填充有铟。 铟从冷却体的一侧在其总宽度和长度上自身延伸。 冷却体设置在使用铟靶的溅射沟槽的下方,每个凹槽在深度上均匀。 冷却装置形成为与冷却体连接的冷却通道(8)的形式。 冷却通道布置在冷却体的下侧。 铟靶包括具有与冷却剂回路连接的凹部(5,6)的平坦冷却体(2),其中凹部填充有铟。 铟从冷却体的一侧在其总宽度和长度上自身延伸。 冷却体设置在使用铟靶的溅射沟槽的下方,每个凹槽在深度上均匀。 冷却装置形成为与冷却体连接的冷却通道(8)的形式。 冷却通道布置在冷却体的下侧。 凹陷的侧壁以阶梯状的方式形成。 步进的中间线形成溅射沟槽的形式(3,4)。 在两个凹槽之间形成网,其通过铣削或铣削制成。 冷却通道具有矩形横截面并与冷却体连接。 冷却通道,冷却体和铸造框架由良好的导热材料如铜制成。 冷却通道与冷却体焊接,自身延伸超过其全长,分为两个冷却回路。 冷水的入口和出口布置在两个冷却回路之间的中间。 包括以下独立权利要求:(1)生产超细粒度铟靶的安排; 和(2)生产超细粒度铟靶的方法。