摘要:
Die Erfindung betrifft ein Indium-Target für Sputtereinrichtungen, enthaltend einen mit einem Kühlkreislauf verbindbaren Kühlkörper mit mindestens einer Vertiefung, die mit Indium verfüllt ist, wobei sich das Indium auf einer Seite des Kühlkörpers über dessen gesamte Breite und Länge erstreckt. Durch die Erfindung soll sowohl während des Gießvorganges, als auch beim Einsatz in Sputtereinrichtungen eine besonders gute Kühlleistung gewährleistet werden. Erreicht wird das dadurch, dass der Kühlkörper (2) flach ausgebildet ist und unterhalb der sich im Gebrauch der Indium-Targets (1) ausbildenden Sputtergräben (3, 4) unter jedem derselben mit einer zu diesem im wesentlichen formkongruenten in die Tiefe gehenden Aussparung (5, 6) versehen ist und wobei die Kühleinrichtung in Form von mit dem Kühlkörper (2) verbundenen Kühlkanälen (8) ausgebildet ist, wobei die Kühlkanäle (8) auf der Unterseite des Kühlkörpers (8) angeordnet sind.