公开(公告)号：EP2244312A2

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：EP09173895.5

申请日：2009-10-23

申请人： Foxsemicon Integrated Technology, Inc.

发明人： Akutsu, Nakao ,  Lai, Chih-Ming

IPC分类号： H01L33/50 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/505 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An exemplary yellow light emitting diode (LED) (10) includes a substrate (11), a LED die (12), a phosphor layer (13) and an encapsulant (14). The LED die (12) is arranged on the substrate (11) and comprises an indium gallium aluminum nitride represented by the formula In x GayAl z N , wherein x+y+z=1, 0≦x≦1, 0≦y≦1 and 0≦z≦1. The phosphor layer (13) is a yttrium aluminum garnet phosphor layer configured on the light path of the LED die (12). The phosphor layer (13) has a thickness of more than 250 micron. The encapsulant (14) covers the LED die (12) and the phosphor layer (13).

摘要翻译： 示例性的黄色发光二极管（LED）（10）包括基板（11），LED管芯（12），荧光体层（13）和密封剂（14）。 LED管芯（12）设置在基板（11）上，并包括由式In x GayAl z N表示的铟镓铝氮化物，其中x + y + z = 1,0.0‰|‰| 1，0‰ |‰|1和0‰| z‰|1。 荧光体层（13）是配置在LED管芯（12）的光路上的钇铝石榴石荧光体层。 荧光体层（13）的厚度大于250微米。 密封剂（14）覆盖LED管芯（12）和荧光体层（13）。