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1.发明公开
公开(公告)号：EP4106012A1
公开(公告)日：2022-12-21
申请号：EP22020286.5
申请日：2022-06-15
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： L'invention concerne un revêtement anti-éblouissement de matériaux nanostructurés d'oxyde à large bande interdite pour réduire les réflexions éblouissantes de la lumière du soleil. Le revêtement est caractérisé en ce qu'il est réalisé par l'électrodéposition d'une couche de matériau nanostructuré d'oxyde à large bande interdite sur une grille de contacts métalliques à la surface d'un panneau solaire d'un vaisseau spatial ou d'un satellite de sorte que la grille de contactes métalliques constitue la cathode dans ce dépôt, et que les nanostructures obtenus ont une largeur et un espacement inférieur à la longueur d'onde 'λ' de la lumière incidente, égale à « λ /n » avec A située entre 180 nm et 8µm, et « n » étant l'indice de réfraction du matériau nanostructuré d'oxyde de sorte que pour des angles d'incidence compris entre 0.01 et 90 degrés moins de 0,5% de la lumière est réfléchie. L'invention concerne également l'utilisation d'une grille de contacts métalliques recouvert par le revêtement anti-éblouissement ci-dessus à la surface d'un panneau solaire ; ainsi qu'un nanosatellite comprenant un panneau solaire dont une grille de contacts métalliques est recouvert par le revêtement ci-dessus.
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2.发明公开
公开(公告)号：EP3726568A1
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：EP20170260.2
申请日：2020-04-17
IPC分类号： H01L21/36
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication de Ga2O3 à large bande interdite de type p. Le procédé est caractérisé en ce que l'on fait croitre l'oxyde de gallium, par une technique de croissance, sur un substrat en agissant seulement sur la variation de la stoechiométrie en oxygène, et en contrôlant la température de la croissance, la puissance du gaz oxydant utilisé ou la vitesse de dépôt, etc...de telle sorte que l'oxyde de gallium de type p est généré par un dopage intrinsèque à base de défauts, sans aucune impureté ajouté. Le procédé comprend en outre une étape d'utilisation d'une couche tampon ladite couche tampon peut être n'importe quel matériau oxyde ou nitrure, ainsi qu'une étape de post-recuit afin de renforcer l'activation du comportement de l'oxyde de gallium de type p. L'invention concerne, en outre, le film mince de Ga2O3 de type p développé sur un substrat, obtenu selon le procédé, ainsi que l'utilisation dudit film mince dans des jonctions p-n à base de Ga2O3 et son utilisation dans des domaines tels que l'électrode transparente de type p, les photodétecteurs UVC, les commutateurs haute fréquence, l'électronique résistante à la radiation (e.g. bétavoltaiques), l'électronique de puissance, l'électronique de haut de fréquence, l'électronique à haute température, ainsi que dans les domaines de thermoélectrique ou dans électronique spatial.
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