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公开(公告)号：EP1117001A3
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：EP00125692.4
申请日：2000-11-23
发明人： Czech, Guenther , Friedrich, Christoph , Fuelber, Carsten, Dr. , Kaesmaier, Rainer , Widmann, Dietrich, Dr.
IPC分类号： G03F1/14
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F7/2004 , G03F7/70033 , G03F7/70233 , G03F7/70283 , G03F7/70575
摘要： Die Erfindung betrifft ein Lithographieverfahren zur Strukturierung von Schichten bei der Herstellung von integrierten Schaltungen sowie eine Maske (11) zur Durchführung dieses Verfahrens. Zur Belichtung von photoempfindlichen Schichten wird die von einer Strahlungsquelle (5) emittierte, im extremen Ultraviolettbereich liegende Strahlung (4) über die Maske (11) auf die photoempfindlichen Schichten geführt.
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公开(公告)号：EP1117001B1
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：EP00125692.4
申请日：2000-11-23
发明人： Czech, Guenther , Friedrich, Christoph , Fuelber, Carsten, Dr. , Kaesmaier, Rainer , Widmann, Dietrich, Dr.
IPC分类号： G03F1/14
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F7/2004 , G03F7/70033 , G03F7/70233 , G03F7/70283 , G03F7/70575
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公开(公告)号：EP1117001A2
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：EP00125692.4
申请日：2000-11-23
发明人： Czech, Guenther , Friedrich, Christoph , Fuelber, Carsten, Dr. , Kaesmaier, Rainer , Widmann, Dietrich, Dr.
IPC分类号： G03F1/14
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F7/2004 , G03F7/70033 , G03F7/70233 , G03F7/70283 , G03F7/70575
摘要： Die Erfindung betrifft ein Lithographieverfahren zur Strukturierung von Schichten bei der Herstellung von integrierten Schaltungen sowie eine Maske (11) zur Durchführung dieses Verfahrens. Zur Belichtung von photoempfindlichen Schichten wird die von einer Strahlungsquelle (5) emittierte, im extremen Ultraviolettbereich liegende Strahlung (4) über die Maske (11) auf die photoempfindlichen Schichten geführt.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于集成电路的制造和用于执行该方法的掩模（11）中图案化的层的光刻工艺。 对于辐射源的感光层的曝光（5）在发射在掩模（11）的极紫外区域躺在辐射（4）引导到光敏层。
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