公开(公告)号：EP0418468B1

公开(公告)日：1995-01-25

申请号：EP90109000.1

申请日：1990-05-12

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Nguyen, Thao Ngoc ,  Stein, Kenneth Jay ,  Sun, Yuan-Chen ,  Weinberg, Zeev Avraham

IPC分类号： H01L21/314 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

公开(公告)号：EP0418468A1

公开(公告)日：1991-03-27

申请号：EP90109000.1

申请日：1990-05-12

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Nguyen, Thao Ngoc ,  Stein, Kenneth Jay ,  Sun, Yuan-Chen ,  Weinberg, Zeev Avraham

IPC分类号： H01L21/314 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： A system for fabricating an ultra-thin composite di­electric, usable for the capacitor in DRAM and in other integrated circuits, involving the deposition, a LPCVD tube, of a nitride (3) in situ on a very thin LPCVD oxide (2). By re-oxidizing the nitride (3) or depositing a LPCVD oxide layer (4, 4′) in situ thereon, a composite ONO dielectric, having very low defect density and good overall electric properties, of less than 10 nm in thickness and as low as 4.5 nm, may be formed.

摘要翻译： 一种制造用于DRAM和其它集成电路中的电容器的超薄复合电介质的系统，涉及在非常薄的LPCVD氧化物（2）上原位沉积氮化物（3）的LPCVD管。 通过在其上原位氧化氮化物（3）或沉积LPCVD氧化物层（4,4min），复合ONO电介质具有非常低的缺陷密度和良好的整体电性能，厚度小于10nm，并且为 低至4.5nm。