公开(公告)号：EP1722393A1

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：EP05719655.2

申请日：2005-02-28

申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： UNNO, Hirotaka c/o Int.Prop.Div., Toshiba Corp. ,  YAMADA, Akiyoshi c/o Int.Prop.Div., Toshiba Corp. ,  OOSHIMA, Tsukasa c/o Int.Pro.Div., Toshiba Corp.

IPC分类号： H01J31/12 ,  H01J29/86

CPC分类号： H01J31/123 ,  H01J5/22 ,  H01J2209/26

摘要： On the peripheral edge of a front side substrate (11) of an FED, a rectangular frame shaped sealing surface (11a) is formed for sealing a sidewall. On the sealing surface (11a), an indium layer (32) is formed through a base layer (31). At the four corners of the indium layer (32), an electrode (34) for applying an electric current is connected. The indium layer (32) is formed to have a width gradually decreasing from substantially the center of each side of the sealing surface (11a) to adjacent corners.

摘要翻译： 在FED的前侧衬底（11）的周边边缘上形成矩形框形密封表面（11a），用于密封侧壁。 在密封表面（11a）上，穿过基层（31）形成铟层（32）。 在铟层（32）的四个角上，连接用于施加电流的电极（34）。 铟层（32）形成为从密封面（11a）的大致中央向相邻的角部逐渐减小。