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    Hallelement
    1.
    发明公开
    Hallelement 失效
    Hallelement。

    公开(公告)号：EP0362493A1

    公开(公告)日：1990-04-11

    申请号：EP89112619.5

    申请日：1989-07-11

    申请人： Landis & Gyr Business Support AG

    发明人： Urs, Falk ,  Radivoje, Popovic

    IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L27/22

    CPC分类号： H01L43/065

    摘要： Das Hallelement besitzt einen polygonalen ebenen Querschnitt (9) In der Querschnittsebene sind auf Seiten des Querschnittes (9) Querschnitte von Elektroden (1 bis 4) angeordnet, deren Anzahl ein Multipel von vier ist. Die Querschnitte der Elektroden (1 bis 4) sind mathematisch konforme Abbildungen einer aus einer fiktiven Ebene in die Querschnittsebene transformierten fiktiven Gruppe von nichtüberlappenden Querschnitten gleichvieler fiktiver Elektroden, die in der fiktiven Ebene auf dem Umfang eines Kreises punktsymmetrisch zum Zentrum des Kreises angeordnet sind. Der Radius des Kreises beträgt Eins. Die fiktive Gruppe ist in Vierergruppen unterteilt, innerhalb derselben die Querschnitte der zugehörigen fiktiven Elektroden jeweils auf dem Umfang des Kreises gleiche Abstände zueinander besitzen.

    摘要翻译： 霍尔元件具有多边形，平坦的横截面（9）。 在横截面中设置有横截面（9）的横截面为4的倍数的电极（1至4）的横截面。电极（1至4）的横截面在数学上是 从虚拟平面在横截面平面中变形的虚构组的等角映射，相等数量的虚拟电极的非重叠横截面设置在虚拟平面中圆点的圆周上对称地相对于 到圆的中心。 圆的半径是一致的。 虚构组被分成四组，相关联的虚拟电极的横截面各自在圆周上彼此具有相等的距离。 ... ...

    Anordnung zur Eigenschaftsverbesserung von mit P/N-Uebergängen versehenen Halbleiterstrukturen
    3.
    发明公开
    Anordnung zur Eigenschaftsverbesserung von mit P/N-Uebergängen versehenen Halbleiterstrukturen 失效
    安排在性能改进其中设置有P / N结半导体结构。

    公开(公告)号：EP0503141A1

    公开(公告)日：1992-09-16

    申请号：EP91119575.8

    申请日：1991-11-16

    申请人： Landis & Gyr Business Support AG

    发明人： Radivoje, Popovic ,  Urs, Falk

    IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/0603 ,  H01L43/065

    摘要： Die Anordnung enthält ein Substrat (1), eine Halbleiterschicht (2), eine Oberflächenschicht (3), einen Halbleiterring (4), getrennte Inseln (6, 7) aus Halbleitermaterial und Anschlusskontakt-Diffusionen (5a, 5b). Die letzteren besitzen je einen elektrischen Anschluss (8a bzw. 8b). Die Halbleiterschicht (2), die Anschlusskontakt-Diffusionen (5a, 5b) und die Inseln (6,7) bestehen aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps (N), während das Substrat (1), die Oberflächenschicht (3) und der Halbleiterring (4) aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps (P) bestehen. Entlang einer Kontaktfläche zwischen P- und N-Material mindestens eines der beiden P/N-Übergänge (1;2 bzw. 2;3) sind die Inseln (6 bzw. 7) aus Halbleitermaterial angeordnet. Die Anschlusskontakt-Diffusionen (5a, 5b) und die Inseln (6, 7) sind stark mit Fremdatomen dotiert. Die Anordnung reduziert stark den Einfluss der Spannungsabhängigkeit der Raumladungszonendicke mindestens eines Teils der P/N-Übergänge auf die Halbleiterbauelemente-Eigenschaften. Die Linearität der Spannungs/Strom-Kennlinien wird verbessert und der Einfluss einer Spannung auf die Temperaturkoeffizienten wird verringert.

    摘要翻译： 该装置包括一个基片（1），半导体层（2），表面层（3），半导体环（4），单独的岛屿（6,7）由半导体材料制成，并连接接触扩散的（5A，5B ）。 后期各自具有电连接（8a和8b，分别地）。 在半导体层（2），连接接触扩散（5A，5B）和所述岛（6,7）由一个第一导电型（N）的半导体材料制成，而所述底物（1），在表面层（ 3）和所述半导体环（4）是由一个第二导电型（P）的半导体材料制成。 半导体材料的岛（图6和7，分别地）沿P和两个P-N结（1,2和2,3，分别地）中的至少一个的N材料之间的接触面配置。 连接接触扩散（5A，5B）和所述岛（6，7）被重掺杂有杂质原子。 该装置显着地降低在半导体组件属性的P-N结中的至少一个部分的空间电荷区的厚度的电压依赖性的效果。 的电压/电流特性的线性得到改善，在温度系数的电压的效果降低。