公开(公告)号：EP0841561A2

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：EP97117232.5

申请日：1997-10-06

申请人： Micronas Intermetall GmbH

发明人： Igel, Günter, Dipl.-Ing. ,  Gahle, Günter, Dr.-Ing.

IPC分类号： G01N27/12

CPC分类号： G01N27/414

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung. Während des MOS-Prozesses wird ein Sensorbereich 7 für den Sensor mit einer Struktur für die Metallelektrode 13 erzeugt, wobei die Struktur aus einem Material mit vorbestimmten Hafteigenschaften für Metalle besteht, der Sensorbereich 7 durch Ätzen der Passivierungsschicht 12 freigelegt wird, und eine Metallisierung der Oberfäche der MOS-Anordnung vorgenommen wird, bei der die Metallschicht nur auf der Struktur für die Metallelektrode 13 haften bleibt.

摘要翻译： 在MOS结构中制造具有金属电极的传感器的方法包括：（a）通过常规MOS工艺直到钝化层形成步骤来产生MOS结构，该方法包括制造具有结构的传感器区域（7） 的具有预定粘附力的材料用于电极（13）的金属; （b）通过蚀刻钝化层（12）和传感器区域（7）和钝化层（12）之间的任何层来暴露传感器区域（7）; 和（c）金属化MOS结构表面，仅在为金属电极（13）提供的结构上附着的金属层。

公开(公告)号：EP0841561A3

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：EP97117232.5

申请日：1997-10-06

申请人： Micronas Intermetall GmbH

发明人： Igel, Günter, Dipl.-Ing. ,  Gahle, Günter, Dr.-Ing.

IPC分类号： G01N27/12

CPC分类号： G01N27/414

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Sensors mit einer Metallelektrode in einer MOS-Anordnung. Während des MOS-Prozesses wird ein Sensorbereich 7 für den Sensor mit einer Struktur für die Metallelektrode 13 erzeugt, wobei die Struktur aus einem Material mit vorbestimmten Hafteigenschaften für Metalle besteht, der Sensorbereich 7 durch Ätzen der Passivierungsschicht 12 freigelegt wird, und eine Metallisierung der Oberfäche der MOS-Anordnung vorgenommen wird, bei der die Metallschicht nur auf der Struktur für die Metallelektrode 13 haften bleibt.