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1.

发明授权
Group-III nitride based light emitter 失效
标题翻译：根据III族氮化物化合物的发光器件

公开(公告)号：EP0762516B1

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：EP96113588.6

申请日：1996-08-24

申请人： Mitsubishi Cable Industries, Ltd.

发明人： Ohuchi, Youichiro, Itami Fac. , Okagawa, Hiroaki, Itami Fac. , Watabe, Shinichi , Tadatomo, Kazuyuki, Itami Fac.

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32

2.

发明公开
Group-III nitride based light emitter 失效
标题翻译： Lichtemittierende Vorrichtung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III

公开(公告)号：EP0762516A1

公开(公告)日：1997-03-12

申请号：EP96113588.6

申请日：1996-08-24

申请人： Mitsubishi Cable Industries, Ltd.

发明人： Ohuchi, Youichiro, Itami Fac. , Okagawa, Hiroaki, Itami Fac. , Watabe, Shinichi , Tadatomo, Kazuyuki, Itami Fac.

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32

摘要： A group-III nitride based light emitter such as LED and LD, which has a double heterostructure and which comprises a diffusion suppressive layer (5) between a p-type cladding layer (6) and an active layer (4). The diode having a diffusion suppressive layer of the present invention has higher luminous intensity, greater forward voltage, and longer lifetime than the conventional diodes.

摘要翻译： 具有双异质结构并且包括在p型包覆层（6）和有源层（4）之间的扩散抑制层（5）的诸如LED和LD的III族氮化物基发光体。具有本发明的扩散抑制层的二极管具有比常规二极管更高的发光强度，更大的正向电压和更长的寿命。