摘要:
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, insbesondere lichtemittierendes elektronisches Bauelement, mit einer Anode, einer Kathode und mindestens einer organischen Schichtanordnung, die zwischen der Anode und der Kathode angeordnet und in elektrischem Kontakt mit der Anode und der Kathode ist und die mindestens einen der folgenden Bereiche aufweist: einen beim Anlegen eines elektrischen Potentials an die Anode und die Kathode elektrische Ladungen erzeugenden Bereich mit einem np-Übergang, der mit einer Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom p-Typ und einer n-dotierten Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom n-Typ gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht der Anode in Kontakt ist, und einen beim Anlegen des elektrischen Potentials an die Anode und die Kathode weitere elektrische Ladungen erzeugenden Bereich mit einem pn-Übergang, die mit einer Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom n-Typ und einer p-dotierten Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom p-Typ gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht der Kathode in Kontakt ist.
摘要:
The device has organic layers attached on a substrate and comprising a charge carrier transporting layer for electrons or holes made of organic material, and a light emitting layer made of organic material, where a fullerene layer is designed as a laminar electrode or as the charge carrier transporting layer. A metal layer (3b) is attached in direct contact with the fullerene layer, and an injection layer is made of lithium fluoride. An independent claim is also included for a method for manufacturing an electroluminescent light-emitting device.
摘要:
Die Erfindung betrifft neue n-Dotanden zur Dosierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, der eine Struktur aufweist, die ausgewählt ist aus der Gruppe von:
- wobei das Metall M ein Übergangsmetall ist, vorzugsweise W oder Mo; - wobei das Atom E ein Hauptgruppenelement ist, bevorzugt ausgewählt aus der Gruppe N, P, As, Sb, ohne auf diese beschränkt zu sein.
摘要:
Die Erfindung betrifft neue n-Dotanden zur Dosierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, der eine Struktur aufweist, die ausgewählt ist aus der Gruppe von:
- wobei das Metall M ein Übergangsmetall ist, vorzugsweise W oder Mo; - wobei das Atom E ein Hauptgruppenelement ist, bevorzugt ausgewählt aus der Gruppe N, P, As, Sb, ohne auf diese beschränkt zu sein.
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ, mit einer Elektrode (Anode), einer Gegenelektrode (Kathode) und einem blockschicht-freien Stapel mit organischen Schichten zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode, wobei der blockschicht-freie Stapel gebildet ist mit einer Emissionsschicht (undotierte Matrix), einer elektrisch dotierten Ladungsträgertransportschicht (p-dotierte Matrix), die zwischen der Elektrode und der Emissionsschicht angeordnet ist, und einer weiteren elektrisch dotierten Ladungsträgertransportschicht (n-dotierte Matrix), die zwischen der Gegenelektrode und der Emissionsschicht angeordnet ist, wobei die Emissionsschicht aus einem organischen Matrixmaterial und die elektrisch dotierte Ladungsträgertransportschicht aus dem gleichen organischen Matrixmaterial gebildet sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Stapels mit organischen Schichten für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ.
摘要:
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement, insbesondere lichtemittierendes elektronisches Bauelement, mit einer Anode, einer Kathode und mindestens einer organischen Schichtanordnung, die zwischen der Anode und der Kathode angeordnet und in elektrischem Kontakt mit der Anode und der Kathode ist und die mindestens einen der folgenden Bereiche aufweist: einen beim Anlegen eines elektrischen Potentials an die Anode und die Kathode elektrische Ladungen erzeugenden Bereich mit einem np-Übergang, der mit einer Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom p-Typ und einer n-dotierten Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom n-Typ gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht der Anode in Kontakt ist, und einen beim Anlegen des elektrischen Potentials an die Anode und die Kathode weitere elektrische Ladungen erzeugenden Bereich mit einem pn-Übergang, die mit einer Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom n-Typ und einer p-dotierten Schicht aus einem organischen Halbleitermaterial vom p-Typ gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht der Kathode in Kontakt ist.
摘要:
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ, mit einer Elektrode und einer Gegenelektrode und einem Stapel mit organischen Sclticlaten zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode, wobei der Stapel mit den organischen Schichten eine k (k=1, 2, 3, ...) organische Matrixmaterialien umfassende Emissionsschicht, eine dotierte Ladungsträgertransportschicbt, die zwischen der Elektrode und der Emissionsschicht angeordnet ist, eine weitere dotierte Ladmigstragertransportschieht, die zwischen der Gegenelektrode und der Emissionsschicht angeordnet ist, eine Blockschicht, die zwischen der dotierten Ladungsträgertransportschicht und der Emissionsschicht angeordnet ist, und eine weitere Blockschicht, die zwischen der weiteren dotierten Ladungsträgertransportschicht und der Emissionsschicht angeordnet ist, aufweist, wobei die organischen Schichten des Stapels mittels n (n ≤ k+2) organischen Matrixmaterialien gebildet sind und die n organischen Matrixmaterialien die k organischen Matrixmaterialien der Emissionsschicht umfassen, wobei die dotierte Ladungsträgertransportschicht und die Blockschicht aus einem ersten organischen Matrixmaterial sind, welches von den n organischen Matrixmaterialien umfasst ist, und wobei die weitere dotierte Ladungsträgertransportschicht und die weitere Blockschicht aus einem zweiten organischen Matrixmaterial sind, welches von den n organischen Matrixmaterialien umfasst ist. Die Erfindung sieht weiterhin ein Verfahren zum Herstellen vor.
摘要:
Die Erfindung betrifft elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtungen, die dadurch gekennzeichnet sind, dass sie mindestens eine Dünnschicht aus Fullerenen, dotiert mit einem organischen Dotanden, als funktionale Schicht enthalten. Mit der dotierten Fullerenschicht können wesentliche Vereinfachungen im strukturellen Aufbau organischer elektrolumineszenter Lichtemissionseinrichtungen erreicht und damit ihr Produktionsprozess effizienter gemacht werden. Ein Merkmal der Erfindung ist die Ausnutzung der hohen Leitfähigkeit der dotierten Fullerenschichten unter anderem dadurch, dass die dotierte Fullerenschicht als Elektrode verwendet wird. Besonders in der Anwendung als transparente, separat kontaktierbare Zwischenelektrode in vertikal gestapelten organischen Leuchtdioden hat diese dotierte Fullerenschicht Vorteile gegenüber anderen Ansätzen.