摘要:
- Procédé d'encapsulation d'un dispositif semiconducteur (17) muni de conducteurs métalliques (18), par injection de résine dans une cavité de moulage (20) surmontant ce dispositif. - Préalablement à l'injection et durant une portion substantielle de cette opération, on soumet la cavité de moulage et le canal d'injection (21) conduisant à cette cavité à une évacuation d'air pratiquée au moyen d'une conduite de vide (30) débouchant dans la cavité au travers d'une paroi poreuse (33). De préférence l'injection est réalisée par un seuil (36) situé entre deux conducteurs métalliques adjacents. - Encapsulation des dispositifs semiconducteurs.