Amplificateur différentiel et mélangeur oscillateur l'incorportant
    2.
    发明公开
    Amplificateur différentiel et mélangeur oscillateur l'incorportant 失效
    Difzzverstärker,Oszillator und Mischer。

    公开(公告)号:EP0533230A1

    公开(公告)日:1993-03-24

    申请号:EP92202523.4

    申请日:1992-08-18

    IPC分类号: H03F3/45

    CPC分类号: H03F3/45071 H03D7/12

    摘要: Amplificateur différentiel du type cascode comprenant un étage différentiel comportant un premier (T₁) et un deuxième (T₂) transistor dont les collecteurs sont connectés à une charge active constituée par le trajet collecteur-émetteur respectivement d'un troisième (T₃) et d'un quatrième (T₄) transistor en série respectivement avec une première (R₁) et une deuxième (R₂) résistance dont une borne est connectée à une source de tension d'alimentation, les troisième et quatrième transistors ayant leur base connectée à une source de tension de référence. Selon l'invention, un premier condensateur (C₁) est disposé entre les trajets collecteur-émetteur du troisième et du premier transistor (T₁), et un deuxième condensateur (C₂) est disposé entre les trajets collecteur-émetteur du quatrième (T₄) et du deuxième transistor (T₂). Une troisième (R'₁) et une quatrième (R'₂) résistances sont disposées entre ladite source de tension d'alimentation (V cc ) et le trajet collecteur-émetteur respectivement du premier (T₁) et du deuxième (T₂) transistor.

    摘要翻译: 该共源共栅型差分放大器包括一个包括第一(T1)晶体管和第二(T2)晶体管的差分级,其集电极连接到由分别为第三(T3)晶体管和第四晶体管的集电极 - 发射极路径组成的有源负载 (T4)晶体管分别与第一电阻器(R1)和第二(R2)电阻器串联,一个端子连接到电源电压源,第三和第四晶体管的基极连接到参考电压源。 根据本发明,第一电容器(C1)布置在第三晶体管和第一晶体管(T1)的集电极 - 发射极路径之间,第二电容器(C2)被布置在第四晶体管的集电极 - 发射极路径之间 晶体管(T4)和第二晶体管(T2)。 第三电阻器(R%1)和第四(R%2)电阻器分别布置在所述电源电压源(Vcc)和第一晶体管(T1)和第二(T2)晶体管的集电极 - 发射极路径之间 。 ... ...

    Amplificateur large bande présentant des sorties séparées
    3.
    发明公开
    Amplificateur large bande présentant des sorties séparées 失效
    Breitbandverstärkermit getrenntenAusgängen。

    公开(公告)号:EP0467450A1

    公开(公告)日:1992-01-22

    申请号:EP91201770.4

    申请日:1991-07-08

    IPC分类号: H03F3/19 H03F3/343

    CPC分类号: H03F3/343 H03F3/19

    摘要: L'invention concerne un amplificateur à large bande comportant une sortie directe C à laquelle est connecté un étage décaleur de niveau présentant au moins une sortie décalée en niveau et comportant au moins un premier transistor suiveur (Q 3 ) en série avec au moins un élément décaleur de niveau (Q 4 ), ledit transistor (Q 3 ) comportant une première résistance (R 2 ) disposée entre sa base et une source de tension d'alimentation (V cc ), et un circuit de contre-réaction (R F1 ) à partir d'au moins une sortie décalée en niveau. Il comporte au moins un deuxième (Q 20 ) et un troisième (Q 30 ) transistor de sortie séparée dont la base est connectée à une dite sortie décalée en niveau (S) et qui sont agencés de manière que leur col lecteur constitue respectivement une première (Si) et une deuxième (S 2 ) sortie séparée, en ce qu'il comporte un quatrième transistor suiveur (Q' 3 ) en cascade entre le premier transistor suiveur (Q 3 ) et l'élément décaleur de niveau (Q 4 ). Il comporte également un cinquième transistor (Qio) formant miroir de courant avec ledit élément décaleur de niveau et dont le trajet de courant principal est connecté en série entre le trajet de courant principal du premier transistor suiveur (Q 3 ) et une borne de l'élément décaleur de niveau (Q 4 ) non connectée au quatrième transistor suiveur (Q' 3 ).

    摘要翻译: 本发明涉及一种宽带放大器,其包括直接输出C,其连接到具有至少一个电平移位输出的电平移位级,并包括与至少一个电平移位元件串联的至少一个第一跟随器晶体管(Q3) (Q4),所述晶体管(Q3)包括布置在其基极和电源电压源(Vcc)之间的第一电阻器(R2)和从至少一个电平移位输出反馈的电路(RF1)。 它包括至少一个第二(Q20)和一个第三(Q30)分离输出晶体管,其基极连接到所谓的电平移位输出(S),并且被配置为使得它们的集电极分别构成第一(S1) 和第二(S2)分离输出,并且其包括级联在第一跟随器晶体管(Q3)和电平移动元件(Q4)之间的第四跟随器晶体管(Q'3)。 它还包括与所述电平移动元件形成电流镜的第五晶体管(Q10),并且其主电流路径串联连接在第一跟随器晶体管(Q3)的主电流通路与电平移位端 元件(Q4),其不连接到第四跟随器晶体管(Q'3)。 ... ...