公开(公告)号：EP1310998B1

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：EP02025514.7

申请日：2002-11-13

申请人： Ricoh Company, Ltd.

发明人： Shimizu, Akira

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L27/0629

公开(公告)号：EP1376263A3

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：EP03014406.7

申请日：2003-06-27

申请人： Ricoh Company, Ltd.

发明人： Ogiso, Toshio, Hitachi, Ltd, Intell.Prop.Group. ,  Nakano, Masaru, Hitachi, Ltd, Intell.Prop.Group. ,  Fukuda, Hiromitsu, Hitachi,Ltd, Intell.Prop.Group. ,  Obata, Shigeru, Hitachi,Ltd, Intell.Prop.Group. ,  Hanashima, Toru ,  Oonishi Kazushige, Hitachi,Ltd, Intel.Prop.Grp. ,  Hiraoka, Chikara ,  Ohashi, Toru ,  Shimizu, Akira ,  Kikuchi, Kazuo ,  Matsumoto, Shogo, Hitachi,Ltd, Intel.Prop.Grp. ,  Ukei, Shoji ,  Onose, Katsuyoshi ,  Koyama, Tsuyoshi

IPC分类号： G03G15/20

CPC分类号： G03G15/2064 ,  G03G15/206 ,  G03G2215/2009 ,  G03G2215/2016 ,  G03G2215/2022

摘要： An image forming and recording apparatus, having a fixing apparatus (1, 2, 3) for fixing unfixed toner image on a recording medium, wherein said fixing apparatus comprises: a fixing roller (2) integrating a heater (6) therein; and endless belt (7) wound around said fixing roller; and three pressure members (8) for pressing said endless belt onto said fixing roller, wherein second one from a side of entry of paper is made at maximum in pressure loading, among said three pressure members, thereby achieving stable fixing of oil-less toner at high speed.

公开(公告)号：EP1310998A2

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：EP02025514.7

申请日：2002-11-13

申请人： Ricoh Company, Ltd.

发明人： Shimizu, Akira

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L27/0629

摘要： A thermal oxide film (39) is formed on surfaces of an N+polyNMOS (27), an N+polyPMOS (29), a P+polyPMOS (31), and a polysilicon resistance body (35). A silicon nitride film (41) is formed on the thermal oxide film except for regions above the N+polyPMOS (29) and the P+polyPMOS (31). The thermal oxide film (39) blocks hydrogen, and prevents diffusing of the hydrogen when the silicon nitride film (41) is formed. The silicon nitride film (41) blocks hydrogen, and prevents diffusing of the hydrogen when a layer is formed above the silicon nitride film (41).

摘要翻译： 在N + polyNMOS（27），N + polyPMOS（29），P + polyPMOS（31）和多晶硅电阻体（35）的表面上形成热氧化膜（39）。 除了N +聚PMOS（29）和P +聚PMOS（31）之上的区域以外，在热氧化膜上形成氮化硅膜（41）。 当形成氮化硅膜（41）时，热氧化膜（39）阻挡氢，并防止氢的扩散。 当在氮化硅膜（41）上方形成层时，氮化硅膜（41）阻挡氢，并且防止氢的扩散。

公开(公告)号：EP1376263B1

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：EP03014406.7

申请日：2003-06-27

申请人： Ricoh Company, Ltd.

发明人： Ogiso, Toshioc/o Hitachi, Ltd., Intell.Prop.Group ,  Nakano, Masaru,c/o Hitachi, Ltd., Intell.Prop.Group ,  Fukuda, Hiromitsu,c/o Hitachi,Ltd., Intell.Prop.Group ,  Obata, Shigeru,c/o Hitachi,Ltd., Intell.Prop.Group ,  Hanashima, Toru ,  Oonishi, Kazushige,c/o Hitachi,Ltd., Intel.Prop.Group ,  Hiraoka, Chikara ,  Ohashi, Toru ,  Shimizu, Akira ,  Kikuchi, Kazuo ,  Matsumoto, Shogo,c/o Hitachi,Ltd., Intel.Prop.Group ,  Ukei, Shoji ,  Onose, Katsuyoshi ,  Koyama, Tsuyoshi

IPC分类号： G03G15/20

CPC分类号： G03G15/2064 ,  G03G15/206 ,  G03G2215/2009 ,  G03G2215/2016 ,  G03G2215/2022

公开(公告)号：EP1310998A3

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：EP02025514.7

申请日：2002-11-13

申请人： Ricoh Company, Ltd.

发明人： Shimizu, Akira

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L27/0629

摘要： A thermal oxide film (39) is formed on surfaces of an N+polyNMOS (27), an N+polyPMOS (29), a P+polyPMOS (31), and a polysilicon resistance body (35). A silicon nitride film (41) is formed on the thermal oxide film except for regions above the N+polyPMOS (29) and the P+polyPMOS (31). The thermal oxide film (39) blocks hydrogen, and prevents diffusing of the hydrogen when the silicon nitride film (41) is formed. The silicon nitride film (41) blocks hydrogen, and prevents diffusing of the hydrogen when a layer is formed above the silicon nitride film (41).

摘要翻译： 在N + polyNMOS（27），N + polyPMOS（29），P + polyPMOS（31）和多晶硅电阻体（35）的表面上形成热氧化膜（39）。 在N + polyPMOS（29）和P + polyPMOS（31）之上的区域之外，在热氧化膜上形成氮化硅膜（41）。 热氧化膜（39）阻挡氢，并且当形成氮化硅膜（41）时防止氢的扩散。 氮化硅膜（41）阻挡氢，并且当在氮化硅膜（41）上形成层时，防止氢的扩散。