MATÉRIAU À FAIBLE ÉMISSIVITÉ COMPRENANT UNE COUCHE À BASE D'OXYDE DE TITANE ÉPAISSE

    公开(公告)号:EP4442663A2

    公开(公告)日:2024-10-09

    申请号:EP24190727.8

    申请日:2021-07-13

    IPC分类号: C03C17/36

    摘要: L'invention concerne un matériau comprenant un substrat transparent revêtu d'un empilement de couches comprenant au moins une couche métallique fonctionnelle à base d'argent et au moins deux revêtements diélectriques, chaque revêtement diélectrique comportant au moins une couche diélectrique, de manière à ce que chaque couche métallique fonctionnelle soit disposée entre deux revêtements diélectriques, l'empilement comprend au moins une couche à base d'oxyde de titane située au-dessus et au contact d'une couche métallique fonctionnelle à base d'argent caractérisé en ce que :
    - la couche à base d'oxyde de titane a une épaisseur supérieure ou à égale à 3 nm,
    - chaque revêtement diélectrique comprend au moins une couche comprenant du silicium.

    SUPPORT CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF OLED, AINSI QUE DISPOSITIF OLED L'INCORPORANT.
    4.
    发明公开
    SUPPORT CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF OLED, AINSI QUE DISPOSITIF OLED L'INCORPORANT. 审中-公开
    导电载体的OLED器件和OLED设备

    公开(公告)号:EP2932539A1

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:EP13818277.9

    申请日:2013-12-10

    IPC分类号: H01L51/52 C03C17/36

    摘要: The invention relates to a conductive support for an OLED, comprising: a dielectric sub-layer having an optical thickness L1 larger than 20 nm and smaller than 180 nm, comprising a first crystalline contact layer made from zinc oxide and preferably doped; a first silver layer having a thickness smaller than 20 nm; a separating dielectric layer having a given optical thickness L2 larger than 80 nm and smaller than 280 nm, comprising, in this order: a zinc layer, having a thickness e2 and preferably doped, directly on the first silver layer; an optional amorphous layer made from tin and zinc oxide, or made from indium and zinc oxide, or made from indium, zinc and tin oxide, having a thickness e smaller than 15 nm; a second layer of zinc oxide having a thickness ec2, the sum of the thicknesses eC2+e2 being at least 30 nm; a second silver layer having a thickness smaller than 20 nm; a metal overlying blocking layer having a thickness smaller than 3 nm; and a dielectric, electrically conductive overlying layer.