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公开(公告)号：EP0492524A3
公开(公告)日：1995-07-12
申请号：EP91121989.7
申请日：1991-12-20
发明人： Lee, Wonbok
CPC分类号： C23C14/0647 , C23C8/02 , C23C8/80 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C28/322 , C23C28/34 , H01J9/144
摘要： The present invention relates to a method of depositing anti-doming material of a shadow mask. The method includes in the preferred embodiment the step of heating boron in a vacuum atmosphere of 5 x 10⁻⁵ Torr at 2500 - 2600°C for 12 - 20 sec to deposit a boron layer of 1µm on the surface of a shadow mask and introducing nitrogen gas for 12 -20 sec with maintaining the vacuum level of 10⁻⁴ Torr to form a boron nitride layer of 2µm. Titanium is then deposited in a vacuum atmosphere of 5 x 10⁻⁵ Torr at 2400 - 2600°C for 25 - 35 sec to form a titanium layer of 1 - 2µm on the boron nitride layer. The boron nitride layer having low thermal expansion coefficient prevents deformation by doming and the titanium layer having the good conductivity enables the anode voltage to be applied to the shadow mask.
摘要翻译： 沉积荫罩的防隆起材料的方法技术领域本发明涉及一种沉积荫罩的防隆起材料的方法。 在优选实施例中，该方法包括在5×10 -5乇的真空气氛中在2500-2600℃下加热硼12-20秒以在荫罩表面上沉积1μm的硼层并引入 氮气保持12-20秒，同时保持10 -4乇的真空度以形成2μm的氮化硼层。 然后将钛在2400-2600℃的5×10 -5乇的真空气氛中沉积25-35秒，以在氮化硼层上形成1-2μm的钛层。 具有低热膨胀系数的氮化硼层可防止隆起引起的变形，并且具有良好导电性的钛层能够使阳极电压施加到荫罩上。
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公开(公告)号：EP0492524B1
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：EP91121989.7
申请日：1991-12-20
发明人： Lee, Wonbok
CPC分类号： C23C14/0647 , C23C8/02 , C23C8/80 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C28/322 , C23C28/34 , H01J9/144
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公开(公告)号：EP0492524A2
公开(公告)日：1992-07-01
申请号：EP91121989.7
申请日：1991-12-20
发明人： Lee, Wonbok
CPC分类号： C23C14/0647 , C23C8/02 , C23C8/80 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C28/322 , C23C28/34 , H01J9/144
摘要： The present invention relates to a method of depositing anti-doming material of a shadow mask. The method includes in the preferred embodiment the step of heating boron in a vacuum atmosphere of 5 x 10⁻⁵ Torr at 2500 - 2600°C for 12 - 20 sec to deposit a boron layer of 1µm on the surface of a shadow mask and introducing nitrogen gas for 12 -20 sec with maintaining the vacuum level of 10⁻⁴ Torr to form a boron nitride layer of 2µm. Titanium is then deposited in a vacuum atmosphere of 5 x 10⁻⁵ Torr at 2400 - 2600°C for 25 - 35 sec to form a titanium layer of 1 - 2µm on the boron nitride layer. The boron nitride layer having low thermal expansion coefficient prevents deformation by doming and the titanium layer having the good conductivity enables the anode voltage to be applied to the shadow mask.
摘要翻译： 。本发明涉及的阴影的沉积防隆起材料的方法掩模的方法，在优选实施例包括加热硼在5×10的真空气氛中的步骤< - > <5>在托2500-2600° 下进行12 - < - > 20秒维持10的真空度沉积1微米的荫罩的表面上的12 -20秒的硼层和引入氮气<4>托以形成氮化硼 的2微米的层。 钛，然后在真空气氛中沉积的5×10 < - > <5>在托2400至2600年℃，25 - 35秒，以形成1:1的钛层 - 2微米氮化硼层上。 具有低的热膨胀系数的氮化硼层由隆起防止变形并且具有良好的导电性的钛层启用阳极电压被施加到荫罩上。
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