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    Magnetic random access memory and method of operating the same
    1.
    发明公开
    Magnetic random access memory and method of operating the same 有权
    Magnetischer Direktzugriffspeicher und sein Betriebsverfahren

    公开(公告)号：EP1320102A2

    公开(公告)日：2003-06-18

    申请号：EP02255748.2

    申请日：2002-08-19

    申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

    发明人： Park, Wan-jun ,  Kim, Tae-wan ,  Song, I-hun ,  Park, Sang-jin ,  Gambino, Richard J.

    IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16

    CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

    摘要： A magnetic random access memory using magnetic domain drag is provided. The magnetic random access memory includes a data storage unit including a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer; a data input unit electrically connected to both ends of the free layer, for applying current to the free layer to input data into the data storage unit; and a data output unit electrically connected to the free layer and the fixed layer to output data stored in the data storage unit. Accordingly, the magnetic random access memory has more excellent performance than that using a switching field to record data.

    摘要翻译： 提供了使用磁畴阻力的磁性随机存取存储器。 磁性随机存取存储器包括包括固定层，非磁性层和自由层的数据存储单元; 电连接到所述自由层的两端的数据输入单元，用于向所述自由层施加电流以将数据输入到所述数据存储单元中; 以及数据输出单元，电连接到所述自由层和所述固定层，以输出存储在所述数据存储单元中的数据。 因此，磁性随机存取存储器具有比使用切换字段记录数据更好的性能。